晶体管:按形式分属于《中国图书分类法》中的五级类目,该分类相关的期刊文献有29篇,会议文献有4篇,学位文献有13篇等,晶体管:按形式分的主要作者有任迪远、崔帅、张华林,晶体管:按形式分的主要机构有中国科学院新疆理化技术研究所、中国电子科技集团公司第五十研究所、中国科学院新疆理化技术所等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,...
2.[期刊]
摘要: 采用水热法,制得了管径约为10~15nm、管长约为10~300nm、管壁上附着NiO纳米颗粒的TiO_2纳米管复合光催化剂(NiO/TiO_2).采用X射线衍...
3.[期刊]
摘要: 利用二氧化钛薄膜光吸收及表面钝化特性,在硅晶圆基底表面制备石墨烯/二氧化钛异质结场效应管光电探测器,并研究其光电响应特性.结果表明,二氧化钛钝化后的探测器可以...
4.[期刊]
摘要: 研究了 NPN双极晶体管和 NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应。研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率...
5.[期刊]
摘要: 对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。结果表明,对于不同偏置条件,晶体管在低剂量率辐照下,电流增益都有更为明显的衰降;各种剂量率辐照下,电流增...
6.[期刊]
摘要: 通过对 npn管和 pnp管进行不同剂量率的电离辐射实验 ,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应 .结果表明 ,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著 ...
7.[期刊]
Control of Conduction Type and Construction of Novel Planar Devices Realized in Black Phosphorus
摘要: The discovery of graphene has brought unprecedented opportunities for next-gene...
8.[期刊]
摘要: 据国外媒体报道,英特尔将于今年晚些时候向设备厂商交付采用3D晶体管技术的高性能凌动智能手机芯片。设备厂商将对:芯片进行测试。
9.[期刊]
摘要: 多输入输出(Multiple-Input Multiple-Output,MIMO)系统利用发射端的多个天线独立发送信号,在接收端利用多个天线接收并检测信息。...
10.[期刊]
摘要: 制备了响应在太赫兹波段的台面型砷化镓(GaAs)基阻挡杂质带(BIB)探测器,并进行了背景电流的测试分析。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺进行外延层...
11.[期刊]
摘要: 使用的可控硅整流装置产生的高次谐波,如不加抑制会对交流电网和电器设备产生严重影响。为确保系统运行安全,须对可控整流装置采用实际可行的抑制措施。
12.[期刊]
摘要: 本文讨论了伏安法测量晶体管输入特性的系统误差及其修正方法。
13.[期刊]
摘要:
14.[期刊]
摘要: 可控硅整流装置由于可靠性高、寿命长、容易维护等优点,所以在电力技术领域得到了广泛的应用,但同时它产生的高次谐波也给电力系统的正常运行及电气设备的正常运转带来了...
15.[期刊]
摘要: 制备了响应在太赫兹波段的台面型砷化镓(GaAs)基阻挡杂质带(BIB)探测器,并进行了背景电流的测试分析.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺进行外延层...
16.[期刊]
摘要: 采用谱矩阵方法,推导了了三种电路组态的噪声谱矩阵关系,从而完整、准确地比较了晶体管三种电路组态的噪声性能。理论分析及仿真计算表明,不同组态电路在一般情况下虽然...
17.[期刊]
摘要:
18.[期刊]
摘要: With the rapid technical development of electronic components,insulated gate bi...
19.[期刊]
摘要: 研究了双极晶体管的变剂量率电离辐射损伤,发现从高到低的变剂量率辐照更有利于低剂量率辐射损伤增强效应的加速评估.
20.[期刊]
摘要: 我国地大物博,在矿产储存上量非常多,但国情上人口很多,导致人均拥有量很少.由于地质矿产行业促进经济的发展,意义重大.所以进行勘查找矿就变得非常重要,很多的人员...
1.[会议]
UHV/CVD生长Si<,1-X>Ge<,X>/Si合金锗偏聚的研究
摘要: 该文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)生长了锗硅外延层。
2.[会议]
摘要: 介绍了一种使用中频加温外延设备制作IGBT外延材料的工艺,并对这种厚层、异质外延工艺中出现的一系列问题进行了讨论,提出了改善这种外延材料质量的方法。
3.[会议]
摘要:
4.[会议]
摘要: 利用单片炉的各种优点,在150~200mm重掺砷和P型衬底上外延、150mm BiCMOS薄层外延、150mm SIGe和SOI外延等领域进行了生产应用.将所...
1.[学位]
摘要: 微电子技术的发展越来越接近其工艺技术极限,因此有必要着力发展新的器件工艺技术。纳米电子器件是微电子器件的延续;作为新一代电子器件,纳米电子器件在功耗、工作速度...
2.[学位]
摘要: 微电子技术的发展越来越接近其工艺技术极限,因此有必要着力发展新的器件工艺技术。纳米电子器件是微电子器件的延续;作为新一代电子器件,纳米电子器件在功耗、工作速度...
3.[学位]
摘要: 随着半导体技术的飞速发展和器件工艺尺寸的减小,互补型金属氧化物半导体(简写为CMOS)集成电路的可靠性问题越来越明显。尤其是在航天领域中,辐射所带来的可靠性问...
4.[学位]
摘要: 随着微电子技术的不断发展,场效应晶体管的尺寸已经缩短到了纳米尺度,电路的功耗问题、“短沟道效应”和器件中的量子效应成为制约集成电路发展的主要因素。为了降低电路...
5.[学位]
InGaAs/Al2O3 FinFET的电化学特性测量与参数提取
摘要: 随着微电子技术在摩尔定律的不断推动下,器件尺寸不断缩小,平面硅基集成电路中的器件尺寸已经逼近了物理极限。为了按照摩尔定律继续向小尺寸MOSFET迈进,晶体管就...
6.[学位]
具有垂直站立结构的二维层状过渡金属硫属化合物的制备及光电应用
摘要: 二维层状过渡金属硫属化合物由于具有类石墨烯的特殊结构,因此拥有很多优异的机械、光学和电学性能。其中典型的MoS2、MoSe2等已经被广泛应用于光催化制氢、锂离...
7.[学位]
摘要: 场致发射冷阴极器件因其具有功耗低、电流密度大、无需加热、瞬时开启等优点,近年来受到了人们的密切关注。它们在平板显示、大功率高速微波器件、X射线管等领域有着广泛...
8.[学位]
摘要: 近年来,随着半导体制造工艺的进步和电力电子系统应用要求的提高,功率变换器系统中IGBT模块的功率等级和密度也越来越高,迫使其内部的功率器件承受很高的热应力,尤...
9.[学位]
摘要: 绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)具有开关速度快、通流能力强、驱动简单和较宽的安全工作区等优点...