晶体管:按性能分属于《中国图书分类法》中的五级类目,该分类相关的期刊文献有1348篇,会议文献有259篇,学位文献有342篇等,晶体管:按性能分的主要作者有魏同立、张万荣、郑茳,晶体管:按性能分的主要机构有南京电子器件研究所、东南大学微电子中心、北京工业大学电子信息与控制工程学院等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 利用Sentaurus TCAD仿真工具,建立了一种基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管的共源极低噪声放大器电路模型,通过在电路输入端口注入高功率微波,讨论了器...
2.[期刊]
摘要: 为改善传统槽栅IGBT结构开启损耗和电磁干扰噪声两种电学参数间的矛盾关系,在N型Poly栅极和槽栅底部之间引入P型Poly栅极,提出了一种具有多晶硅二极管栅极...
3.[期刊]
摘要: 在扫频抑制方式下,LLC感应加热电源中IGBT的开关损耗很大,可以在IGBT的CE两端串联电容,以减小开关损耗。文章分析关断状态下的电路,确定IGBT的开关损...
4.[期刊]
摘要: IGBT功率模块对于绿色电能的使用具有重大意义,IGBT功率模块封装结构是保证其正常工作的重要组成。本文从IGBT功率模块两种主要的封装方式——焊接型和压接型...
5.[期刊]
摘要: 电力电子器件的小型高集成度发展趋势对散热技术提出挑战。相较于间接液冷,采用全浸式蒸发冷却技术的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具有器件温升低、温度分布均匀的优...
6.[期刊]
摘要: 对于3300 V高压绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件,因其衬底电阻率非常高,在场限环、场...
7.[期刊]
摘要: 为进一步探索高压达林顿晶体管的技术优势与潜力,以产品FHD1071为例,对器件的结构、工艺及可靠性进行全面的设计改进,重点考虑热稳定性,同时保证耗散功率和电流...
8.[期刊]
摘要: 在高频、大功率、高温、高压等领域,氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件因其优异的耐辐射性能而被广泛地应用于卫星、太空探测、核反应堆等领域。尽管从理论和一些...
9.[期刊]
摘要: 要了解什么是IGBT驱动,首先你需要了解什么是IGBT。请戳前情提要:《极简电力电子学》。我们都知道,电机驱动是IGBT的主要应用领域之一。有的同学可能会有这...
10.[期刊]
摘要: 为了满足3300 V FRD反向漏电低,反向恢复软度大的应用要求,本文介绍了一种新的FRD设计。该设计通过优化阳极掺杂,采用轻离子辐照和电子辐照相结合的寿命控...
11.[期刊]
摘要: 阐述IGBT结构体的优化,IGBT芯片技术的展望。探讨IGBT的结构直接决定了芯片的性能,IGBT的结构优化包括体区、集电结、表面结构。
12.[期刊]
摘要: 自主设计和制备了一种耐压超过20 kV的超高压碳化硅(SiC)N沟道绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IG...
13.[期刊]
摘要: 针对大功率IGBT模块在短路极端运行条件下的可靠性问题,将器件的功率端口不均流现象和由此产生的动态结温变化进行综合分析。首先,通过实验对英飞凌某型3300 V...
14.[期刊]
摘要: 建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方...
15.[期刊]
摘要: 以栅控横向PNP(gate-controlled lateral PNP,GCLPNP)晶体管为载体,开展了在不同浓度氢氛围中的辐照实验,研究了氢气对双极器件...
16.[期刊]
摘要: 阐述IGBT的特点、产品分类、产业链、市场应用、竞争格局、面临挑战,从专利数据库提取数据分析了IGBT投资趋势、权利人、技术热点等发展现状。
17.[期刊]
摘要: 阐述IGBT功耗的产生原因,功耗的定义和计算方法,考虑IGBT续流二极管的功耗以及调制控制方法,提出一种更加精准的IGBT功耗计算方法,根据IGBT数据手册估...
18.[期刊]
摘要: 通过器件的功率循环试验可建立寿命模型,如最常用的CIPS08公式,用来预测实际工况下的寿命情况。其中结温波动和结温最大值对键合线寿命的影响最大,但是在功率循环...
19.[期刊]
摘要: 针对三相准Z源逆变器的安全可靠运行问题,提出一种快速、实用的准Z源逆变器IGBT开路故障诊断方法。新型IGBT开路故障诊断基于Z源逆变器自身特性实现,通过在开...
20.[期刊]
摘要: 瞬态热反射显微热成像能够测量电子器件表面温度分布,兼具高时间分辨力和高空间分辨力,在GaN HEMT等大功率器件热测试中应用日益广泛。研发了瞬态热反射显微热成...
1.[会议]
基于2SC0635T的4500V等级IGBT驱动电路设计及应用
摘要: 本文介绍了一种基于2SC0635T的大功率IGBT驱动及保护电路的设计以及应用,该驱动电路具有电源欠压保护、关断过电压钳位及短路保护等功能.最后以功率单元为载...
2.[会议]
摘要: 双极型器件广泛应用于航天、核反应堆等具有辐射性的领域,辐照会导致双极器件参数退化、稳定性降低,有必要对其辐射损伤效应进行深入研究.本文以双极型晶体管为研究对象...
3.[会议]
摘要: 本文通过对绝缘栅双极晶体管(IGBT)失效模块的分析,采用有限元法(FEM)评估了IGBT模块的潜在可靠性缺陷.结果表明,热电应力会导致IGBT模块发生形变,...
4.[会议]
摘要: SiC BJT新型器件是Si IGBT器件的有力竞争对手,具有耐高温、导通电阻小、电流增益大、短路特性好等优势.目前国内外关于SiC BJT的研究很少,缺乏具...
5.[会议]
摘要: 利用晶体管直流增益随辐照中子注量的变化关系,建立了基于电压补偿的直流增益在线测试系统,以模块化软件架构设计方法以及电压回读技术,实现了晶体管在不同中子注量率辐...
6.[会议]
摘要: IGBT行为模型因参数易于提取、计算速度快等特点,在电力电子系统级的仿真中应用十分广泛.但在需要精确开关暂态的仿真中,行为模型的暂态精度达不到要求.为此,本文...
7.[会议]
摘要: 介绍了基于.XT技术的第五代高结温大功率IGBT模块.通过仿真计算了其功率损耗;采用实验方法标定了散热器的稳态热阻;并对试验样机进行了三相负载测试.实验结果表...
8.[会议]
摘要: 为提高4H-SiC双极晶体管((BJT)的耐高压能力,在现在已有的功率器件终端技术中,GR终端技术由于其稳定性较好将成为高温应用场合的首选终端技术.但是由于G...
9.[会议]
摘要: 结温波动是导致IGBT老化失效的重要原因.平滑IGBT结温波动,提高其使用寿命是目前电力电子学科研究的热点问题.本文提出一种基于调节缓冲电容,改变IGBT关断...
10.[会议]
摘要: SiC器件具有电压定额高、导通损耗小、开关损耗小和漏电流低的特点,但其电流定额仍然有限,为了满足大功率场合的需求,可以将SiC MOSFET和Si IGBT进...
11.[会议]
摘要: 本文主要论述华庆公司最新开发的IGBT预成型无铅焊片合金性能及其制做工艺.主要有锡锑系、锡银铜系、锡银铟铋系.此外并对预成型无铅焊片表面氧化和空洞形成进行了分...
12.[会议]
摘要: IGBT过流保护电路能及时进行过流检测并准确动作是IGBT应用中的一项关键技术.以FPGA为核心,配合高速AD9280模拟量采集模块,设计实现了IGBT过流保...
13.[会议]
摘要: 本文介绍了高压大功率压接型IGBT器件的测试平台、有限长导体的电感计算、多物理量耦合分析以及后续工作。
14.[会议]
摘要: 高压大功率压接型IGBT器件采用多芯片并联技术,在器件装配时必须考虑多芯片之间潜在的电流不均衡现象及其电学、热学、力学效应.本文建模评估了不均流时电流过冲的力...
15.[会议]
SiC MOSFET和Si IGBT的结温特性及结温监测方法研究
摘要: 为了研究结温对1200V SiC MOSFET和Si IGBT输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗的影响,搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路和双脉冲测试电...
16.[会议]
摘要: 搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路、双脉冲测试电路和Buck电路,对1200V SiC MOSFET和Si IGBT的输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗...
17.[会议]
摘要: 槽栅结构对功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBD的影响主要是n-漂移区的电导调制而不是对沟道电阻的改...
18.[会议]
摘要: 针对沟槽型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)栅电容较大、开关速度较慢的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将电荷耦合(CC)的思想应用于槽栅IGBT中.采用仿真...
19.[会议]
摘要: 本文对NPN型双极晶体管的低剂量率辐照效应进行了研究.分析了NPN型双极晶体管的辐照损伤机理,提出了NPN型双极晶体管的抗低剂量率的总剂量辐照加固方案,对比了...
20.[会议]
摘要: 焊接是绝缘栅双极晶体管IGBT模块封装中最关键的工艺,焊接质量直接影响到IGBT模块的可靠性和使用寿命.文中研究了焊接工艺对IGBT模块焊接空洞率的影响.结果...
1.[学位]
摘要: 电力电子器件在电网的直流输电、新能源发电并网、电动汽车充电等领域得到广泛运用。目前,在特高压直流中已经开始使用压包式IGBT,但其故障过程与机理尚有待研究。<...
2.[学位]
摘要: 逆导型IGBT打破了普通IGBT+反并联二极管的单体封装模式,通过P区反掺杂技术在模块内部形成反向集成二极管,可以提高33%的模块功率密度,热特性优良,模块电...
3.[学位]
摘要: 压接型IGBT(Press-Pack Insulated Gate Bipolar Transistor: PP-IGBT)器件具有双面散热、大电流密度、失效...
4.[学位]
摘要: 以功率半导体器件为核心的电力电子技术,在特高压直流输电、高铁、电动汽车、可再生能源发电和5G通信为主要应用场景的新兴行业将振兴我国能源产业格局。然而,随着电力...
5.[学位]
摘要: 功率半导体器件是电力电子技术的核心,特别是第三代宽禁带半导体中的碳化硅(SiC)器件在临界击穿电场、禁带宽度、热导率等物理性能方面远远优于Si器件,因此将成为...
6.[学位]
摘要: 随着能源技术的发展对电力电子装备的性能要求越来越高,IGBT作为电力电子装置的核心元件,其可靠性直接决定了电气节能、新能源发电、智能电网等系统的正常运行。IG...
7.[学位]
摘要: 作为功率变流器的核心部件,IGBT功率模块被广泛应用于电动汽车、新能源发电、智能电网等新兴领域。功率器件的可靠性研究一直都是电力电子行业的热点问题。其中,焊料...
8.[学位]
摘要: 近年来由于环境问题的加剧,汽车行业也因此也发生了巨大变革,新能源汽车发展迅速。电动汽车驱动系统的核心为电机控制器,其性能直接影响电动车。由于电动汽车工作时的工...
9.[学位]
纳米银烧结压接封装IGBT器件的电--热--力多物理场建模及失效分析
摘要: 压接型IGBT(Press Pack Insulated Gate Bipolar Transistor)器件具有高功率密度、双面散热、失效短路等优点,适合柔...
10.[学位]
摘要: 随着电力电子技术的迅速发展,电力电子装置在各行各业的应用越来越为广泛。在诸多的应用下,电力电子装置的可靠性问题也随之暴露出来。功率半导体器件是电力电子装置中最...
11.[学位]
摘要: 绝缘栅双极晶体管(Insulator Gate Bipolar Transistor, IGBT)是一种电压控制的MOS结构/BJT结构复合器件,兼具了功率M...
12.[学位]
摘要: 随着新能源发电规模的快速增长,新能源发电技术对变流器的可靠性提出更高的要求。变流器中的功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管(Insulate Gate Bip...
13.[学位]
摘要: 随着IGBT集成与制造工艺技术的提升,IGBT在高频大功率的应用领域不断扩伸。然而,由于器件反并联二极管及杂散电感等客观存在的原因,IGBT在开通与关断过程中...
14.[学位]
摘要: 压接式IGBT器件是一种新型的大功率电力电子器件。压接式IGBT器件采用全压接的封装形式,通过压力实现内部组件的电气连接和热传导,具有结构紧凑,双面散热,功率...
15.[学位]
摘要: 随着电力电子技术的不断进步和电力电子器件的快速发展,IGBT正向着高开关频率、大功率密度方向迈进。而IGBT开关频率的急剧增加将导致其输出电流变化率非常大,其...
16.[学位]
大功率IGBT模块健康状态信息提取方法研究及加速老化试验平台研制
摘要: 近年来,大功率电力电子变流理论和方法作为国家科技重点领域的基础性技术,支撑着新能源汽车、海上风力发电、工业变频驱动和柔性直流输电等战略性新兴产业的快速发展。与...