摘要:针对军事装备、卫星、电子设备以及其它辐射环境下型号设备的大容量存储器的数据快速传输需求,研发高可靠65nm工艺下存储器迫在眉睫.目前65nm的民用制造工艺已经相当成熟,比起180nm、130nm,65nm工艺下,器件的尺寸进一步减小,性能有了较大的提升,功耗进一步降低.所以,基于65nm民用工艺,构建性能优化的基本软、硬IP库,对高性能、高可靠SoC芯片的设计实现,对保障军用电子系统的高效、稳定运行,具有极其重要的意义.本文提出了一种65nm民用工艺存储器高可靠性的设计技术,该设计包含dummy电路技术以及灵敏放大器技术两方面,最终达到高可靠的设计指标.