双极性晶体管属于《中国图书分类法》中的六级类目,该分类相关的期刊文献有47篇等,双极性晶体管的主要作者有周春宇、张鹤鸣、戴显英,双极性晶体管的主要机构有中国电子科技集团公司第58研究所、河北工业大学、海军工程大学等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、
1.[期刊]
摘要: 为了满足通信系统中对核心器件工作频率更高的要求,设计了一种新型的器件结构,有效提高了SiGe异质结双极型晶体管(hetero-junction bipolar...
2.[期刊]
摘要: 高压大功率IGBT(绝缘型双极性晶体管)作为第三代电力电子领域最具有代表性的产品,正广泛的应用于高速动车组牵引系统中,高压大功率IGBT往往因为选取低的栅极电...
3.[期刊]
摘要: 为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si3 N4)应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si3 N4...
4.[期刊]
摘要: 为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si_(3)N_(4))应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层S...
5.[期刊]
摘要: 功率集成器件在交流转直流(AC/DC)电源转换IC、高压栅驱动IC、LED驱动IC等领域均有着广泛的应用.介绍了典型的可集成功率高压器件,包括不同电压等级的横...
6.[期刊]
摘要: 电力电子器件的使用已经渗透到当今社会的各个领域,如何保障其可靠性是当前研究的热点.本文介绍了电力电子器件的失效机理,根据其失效机理分析了相关寿命预测方法,探讨...
7.[期刊]
摘要: 为减少IGBT器件的击穿失效等问题,该文提出了一种复合封装IGBT芯片的方法,能够有效防止集电极和发射极过压/过流引起的失效问题;并针对复合封装芯片的可靠性问...
8.[期刊]
摘要: IGBT器件被认为是一种可用于需要高压、大电流和高速应用领域的理想功率器件,驱动功率小而饱和压降低.该文对IGBT器件的基本原理及其主要热失效模式进行了简要介...
9.[期刊]
摘要: Agilent模型的等效电路可以较好地表征器件的物理特性,但是其中的直流和交流表达式较为复杂,鉴于此,文中在Agilent HBT模型等效电路的基础上,利用符...
10.[期刊]
摘要: 基于多物理场建模对比分析全压接和银烧结封装压接型IGBT器件的电-热应力.首先根据全压接和银烧结封装压接型IGBT的实际结构和材料属性,建立3.3 kV/50...
11.[期刊]
摘要: 本文通过对研制的一种新型塑封高压整流硅堆,提升硅堆器件内部通电功率为目标,经过对传统硅堆工艺结构的设计进行改进,使研制的新工艺结构硅堆产品的通电功率优于传统工...
12.[期刊]
摘要: 高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联阀有多种过电流保护方法,提出了一种新的IGBT串联阀过流保护技术.该技术方案包括阀组控制单元、过流检测单元及柔性罗氏线圈...
13.[期刊]
摘要: 本文论述了IGBT模块封装结构中选用不同材质的DBC基板和底板对模块封装整体封装可靠性的影响,并对模块封装成型的各材料特性加以验证.
14.[期刊]
摘要: IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管是一种大功率半导体电压型全控型器件,是能源变换与传输的核心器件...
15.[期刊]
面向100GHz+数模混合电路的0.5μm InP DHBT工艺
摘要: 报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5 μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到...
16.[期刊]
摘要: 寿命是衡量半导体器件的重要指标,主要对贮存在不同海域的晶体管的寿命差异及产生这种差异的原因进行了分析.对沿海仓储条件下的晶体管的各项参数进行了测试及分析,外推...
17.[期刊]
摘要: 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块通过键合引线实现与外电路的电气连接,并联的铝键合线若发生脱落现象,会导致模块的等效通态电阻增大,通过对电阻的计算,可直接对模...
18.[期刊]
摘要: 通过双脉冲实验对车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块及其驱动电路进行实验研究,实验中主要观察了IGBT模块在开通和关断过程中的关键特性,包括开关损耗、有源箝...
19.[期刊]
摘要: 目前电力电子变换系统对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的电气性能和寿命提出了越来越高的要求.而应用于三菱电机第7代T系列IGBT模块的固化灌封封装(SLC)...
20.[期刊]
摘要: 为使绝缘栅双极型晶体管(IGBT)稳定高效工作,提出一种基于电流变化率和电压变化率电压反馈的门极驱动方法.在IGBT开通时,与电流变化率成正比的反馈电压反馈到...