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汽相外延生长; 双异质结; 磷化铟; 锌;
机译:氮离子掺杂的外延生长在ZnSe衬底上生长的氮掺杂p型ZnO薄膜和ZnO / ZnSe p-n异质结
机译:低压金属有机化学气相沉积法生长的Zn掺杂InGaAs基异质结双极晶体管
机译:高ZN和C掺杂基层INP / Ingaas异质结双极晶体管可靠性的比较研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:通过生长掺杂法实现双发射和色可调的Mn掺杂InP / ZnS量子点
机译:Zn掺杂分布对InGaAsP异质结构中光致发光强度激发依赖性的影响
机译:(Cd,Zn)s单晶薄膜生长及Cu s-(Cd,Zn)s异质结的近期结果
机译:ZNSE,ZNS或ZNS / ZNSE和半导体设备中的PN结包含此类结
机译:Zn-Ni合金在制备Zn-Ni合金电镀浴中的用途,Zn-Ni合金在制备Zn-Ni合金热浸镀锌浴中的用途,以及制备Zn-Ni合金的方法
机译:掺杂有Mg或Zn的硫化铁半导体,结器件和包括该结器件的光电转换器
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