磷化铟

摘要： 本文介绍了一种用于磷化铟(InP)器件金属剥离工艺的多靶共焦式磁控溅射设备。通过正交实验摸索不同靶基距、靶角度对薄膜均匀性的影响,在靶基距为110~140mm,靶角度处于20°~25°之间时薄膜均匀性优于5%。取最优薄膜均匀性的靶基距、靶角度,实验摸索了不同溅射气压下薄膜的台阶覆盖率,结果表明在一定溅射气压范围内,薄膜台阶覆盖率随溅射气压减小而增加。取最优薄膜均匀性的靶基距、靶角度及最优台阶覆盖率的溅射气压,实验摸索了不同溅射功率下基片的表面温度,结果表明在常用光刻胶耐温范围内,较优的溅射功率为300W~400W。

摘要： 谈起与中国电子科技集团公司第十三研究所(以下简称“十三所”)的渊源,孙聂枫笑称“从幼儿园算起,我已经在十三所待了40多年了”。生于斯,长于斯,成长的时光和投身的事业都与这方天地紧密相连,孙聂枫却从未觉得乏味。从旁观父亲孙同年研究并逐渐萌生兴趣的稚童,到“上阵父子兵”、与父亲并肩作战的精英骨干,再到接下父亲I n P(磷化铟)材料研究的接力棒,继续奋斗在化合物半导体材料的第一线,热爱、传承、突破、责任,是孙聂枫投身于此的初心,更是他研究生涯的关键词。

摘要： 北京通美晶体技术股份有限公司(以下简称“通美晶体”)是一家半导体材料科技企业,主要从事磷化铟衬底、砷化镓衬底、锗衬底、PBN材料及其他高纯材料的研发、生产和销售。2021年6月,通美晶体递交招股书,申请登陆科创板。同时拟公开发行不超过9839万股,募资11.67亿元,用于砷化镓半导体材料项目的建设和补充流动资金。

摘要： 近日,云南省科学技术厅印发《重点产业关键核心技术攻关行动方案(2022-2025年)》,明确了重点产业关键核心技术需求,包括新材料产业、数字经济产业、绿色能源产业、先进制造产业等。新材料方面,聚焦“先进基础材料”、“战略新材料”、“前沿新材料”及“绿色综合利用”四大方向,开展关键核心技术攻关,大力推动全省新材料产业高质量发展。

摘要： 武汉拓材科技有限公司成立于2015年10月10日,坐落在中国光谷——葛店国家经济开发区,是一家专注于研发、生产、销售高纯半导体材料的高新技术企业。主要生产的产品有纯度从99.99%到99.999999%之间的碲(Te)、镉(Cd)、铟(In)、镓(Ga)、锑(Sb)、锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)、铝(Al)、锌(Zn)、磷(P)等十五种高纯元素,以及磷化铟、碲化镉、锑化镓、氧化锗、氧化镓、氧化铟等二十余种高纯化合物材料,也可以根据需求定制其他高纯材料。

摘要： 为了解决超高速数据采集和处理设备因前端芯片性能不足而引发的超高速数据转换器带宽不足、线性度低等问题,本文根据目前国内半导体工艺和集成电路设计的水平,对基于fT>170 GHz InP DHBT工艺的高宽带全差分采样跟随放大器(trackˉandˉhold amplifier,THA)进行研究,提出了在6 V电源供电的情况下,采用开关射极跟随器(switched emitter follower,SEF)结构的THA设计方案。通过合理设计DHBT器件的尺寸和偏置电流,使DHBT器件工作在特征频率附近,整体功耗为840 mW。采用馈通消减技术降低谐波失真,测试显示总谐波失真为-31 dBc,无杂散动态范围(spurious free dynamic range,SFDR)为-31 dBc。基于高迁移率InP DHBT器件的设计,该全差分THA的采样率达到16 GS/s,以期为相关人员提供参考。

摘要： 采用气体源分子束外延(GSMBE)技术,研究了InP衬底上InAlAs线性渐变缓冲层对InGaAs/InAlAs高迁移率晶体管(HEMT)材料特性影响。研究了不同厚度和不同铟含量的InAlAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响。结果表明,在300 K(77 K)时,电子迁移率和电子浓度分别为8570 cm^(2)/(Vs)^(-1)(23200 cm^(2)/(Vs)-1)3.255E12 cm^(-2)(2.732E12 cm^(-2))。当InAlAs线性渐变缓冲层厚度为50 nm时,材料的表面形貌得到了很好的改善,均方根粗糙度(RMS)为0.154 nm。本研究可以为HEMT器件性能的提高提供强有力的支持。

摘要： 磷化铟(InP)作为重要的第二代半导体材料,禁带宽度大,电子漂移速度快,抗辐照性能比Si,GaAs好,可作为制备空间飞行器上电学器件的备选材料。随着半导体器件的尺寸纳米化,空间环境中低能质子辐照元件所导致的位移损伤成为影响元件电学性能的主要因素之一。本文使用Geant4模拟得到低能质子入射InP产生的初级撞出原子(PKA)种类及占比和不同能量质子的非电离能量损失(NIEL)的深度分布。结果表明:质子俘获和核反应的概率随质子能量的增加而增加,进而使弹性碰撞产生的反冲原子In,P的占比减少,其他反冲原子占比增加;NIEL峰值随质子能量的增加而降低,且NIEL峰有向前移动的趋势,即随着质子能量增加,位移损伤严重区域逐渐由材料末端移至材料表面。

摘要： 半导体纳米晶具有量子尺寸效应和独特的光学性质,可广泛地应用在光电器件、生物标记、太阳能电池、光催化等方面,因此半导体纳米晶成为越来越多研究者研究的热点.但在诸多的应用限制因素中,高性能的QDs材料(Ⅱ-Ⅵ或Ⅳ-Ⅵ)通常含有镉或铅等剧毒的元素,批量生产和使用这类材料不仅对人体有着极大的伤害,还会引起环境和生态问题.因此低毒性能的QDs材料的设计和研发是目前研究的前沿之一.研究人员通过控制反应条件、表面包裹以及掺杂等对磷化铟(InP)材料的性能进行调控,使之能够更好地应用于各个领域之中.

摘要： 对不同时代的单片微波集成电路(MMIC)的器件工艺发展和应用发展状况进行概况总结,并结合当前的研究与应用热点,重点分析以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)为代表的微波化合物固态器件和基于MMIC的异构异质集成新技术路径,并就今后发展的趋势做出展望.

摘要： 铁磁性磷化铟由Fe+注入磷化铟晶片并在氮气中快速热退火而形成,注入剂量达为5×1016 Fe+/cm2.样品的表面形貌、磁学性质和化学键性质分别用磁力显微镜、超导量子干涉仪和x射线光电子能谱进行测试,结果表明,在较高温度(100°C以上)退火可导致铁磁性团簇的形成;随着退火温度的升高,样品磁性的来源逐渐由杂质带d电子的双交换跃迁作用向铁磁性团簇转变.

摘要： 本文通过异质结模拟软件wx-AMPS模拟了结构为Ag/AZO/n-InP/p-Si/p+-Si/Au的InP-Si异质结太阳电池的效率.模拟参数有InP的掺杂浓度、禁带宽度、厚度以及背面场(Back Surface Field,BSF)的掺杂浓度与厚度,前表面复合速率等.模拟结果表明电池效率随着InP掺杂浓度、厚度的增加而降低,InP的带隙大于1.35eV后对电池效率的提升影响很小;BSF层的掺杂浓度和厚度增加对电池效率有一定提升,但并不显著.结合模拟结果和电池实际情况对模型进行优化,得到电池效率为29.46％,短路电流(Isc)为43.61mA/cm2,开路电压(Voc)为0.83V,填充因子(FF)为81.42％.

摘要： 本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为100-142mm的大直径磷化铟单晶。本文讨论了关于避免孪晶产生的关键技术。

摘要： 目的：研究非镉量子点InP/ZnS在小鼠体内的生物分布及其急性毒性. 方法：将不同表面基团修饰的InP/ZnS QDs(COOH、NH2和OH)溶液雾化后,通过气管吸入的方式进入小鼠体内,分别于处理后1天和15天处死小鼠,收集血液,进行血常规和血液生化检测,解剖取脏器,进行冰冻切片和HE染色观察,组织经消解后进行电感耦合等离子体质谱分析(ICP-MS). 结果：InP/ZnS QDs在肺中有明显蓄积,其中InP/ZnS-OH蓄积量最多,在肝脏、心脏、肾脏、脾脏等主要脏器中也有蓄积,说明量子点均能通过血气屏障,经由肺脏分散至血液中,最后分布至其他主要器官.小鼠体重和主要脏器系数没有明显变化.红细胞和血小板相关指标均在正常范围内,但白细胞比例发生失衡.HE结果显示,除InP/ZnS-NH2QDs组小鼠肺脏中有肺泡充血,其他组小鼠并没有明显的病理学异常. 结论：InP/ZnS QDs的毒性相对较低,其毒性与其表面官能团有关,如进行适当的表面修饰,InP/ZnS QDs能作为良好的荧光探针,用于靶向治疗或疾病诊断.

摘要： 目的：研究非镉量子点InP/ZnS在小鼠体内的生物分布及其急性毒性. 方法：将不同表面基团修饰的InP/ZnS QDs(COOH、NH2和OH)溶液雾化后,通过气管吸入的方式进入小鼠体内,分别于处理后1天和15天处死小鼠,收集血液,进行血常规和血液生化检测,解剖取脏器,进行冰冻切片和HE染色观察,组织经消解后进行电感耦合等离子体质谱分析(ICP-MS). 结果：InP/ZnS QDs在肺中有明显蓄积,其中InP/ZnS-OH蓄积量最多,在肝脏、心脏、肾脏、脾脏等主要脏器中也有蓄积,说明量子点均能通过血气屏障,经由肺脏分散至血液中,最后分布至其他主要器官.小鼠体重和主要脏器系数没有明显变化.红细胞和血小板相关指标均在正常范围内,但白细胞比例发生失衡.HE结果显示,除InP/ZnS-NH2QDs组小鼠肺脏中有肺泡充血,其他组小鼠并没有明显的病理学异常. 结论：InP/ZnS QDs的毒性相对较低,其毒性与其表面官能团有关,如进行适当的表面修饰,InP/ZnS QDs能作为良好的荧光探针,用于靶向治疗或疾病诊断.

摘要： 目的：研究非镉量子点InP/ZnS在小鼠体内的生物分布及其急性毒性. 方法：将不同表面基团修饰的InP/ZnS QDs(COOH、NH2和OH)溶液雾化后,通过气管吸入的方式进入小鼠体内,分别于处理后1天和15天处死小鼠,收集血液,进行血常规和血液生化检测,解剖取脏器,进行冰冻切片和HE染色观察,组织经消解后进行电感耦合等离子体质谱分析(ICP-MS). 结果：InP/ZnS QDs在肺中有明显蓄积,其中InP/ZnS-OH蓄积量最多,在肝脏、心脏、肾脏、脾脏等主要脏器中也有蓄积,说明量子点均能通过血气屏障,经由肺脏分散至血液中,最后分布至其他主要器官.小鼠体重和主要脏器系数没有明显变化.红细胞和血小板相关指标均在正常范围内,但白细胞比例发生失衡.HE结果显示,除InP/ZnS-NH2QDs组小鼠肺脏中有肺泡充血,其他组小鼠并没有明显的病理学异常. 结论：InP/ZnS QDs的毒性相对较低,其毒性与其表面官能团有关,如进行适当的表面修饰,InP/ZnS QDs能作为良好的荧光探针,用于靶向治疗或疾病诊断.

摘要： 目的：研究非镉量子点InP/ZnS在小鼠体内的生物分布及其急性毒性. 方法：将不同表面基团修饰的InP/ZnS QDs(COOH、NH2和OH)溶液雾化后,通过气管吸入的方式进入小鼠体内,分别于处理后1天和15天处死小鼠,收集血液,进行血常规和血液生化检测,解剖取脏器,进行冰冻切片和HE染色观察,组织经消解后进行电感耦合等离子体质谱分析(ICP-MS). 结果：InP/ZnS QDs在肺中有明显蓄积,其中InP/ZnS-OH蓄积量最多,在肝脏、心脏、肾脏、脾脏等主要脏器中也有蓄积,说明量子点均能通过血气屏障,经由肺脏分散至血液中,最后分布至其他主要器官.小鼠体重和主要脏器系数没有明显变化.红细胞和血小板相关指标均在正常范围内,但白细胞比例发生失衡.HE结果显示,除InP/ZnS-NH2QDs组小鼠肺脏中有肺泡充血,其他组小鼠并没有明显的病理学异常. 结论：InP/ZnS QDs的毒性相对较低,其毒性与其表面官能团有关,如进行适当的表面修饰,InP/ZnS QDs能作为良好的荧光探针,用于靶向治疗或疾病诊断.

摘要： 目的：研究非镉量子点InP/ZnS在小鼠体内的生物分布及其急性毒性. 方法：将不同表面基团修饰的InP/ZnS QDs(COOH、NH2和OH)溶液雾化后,通过气管吸入的方式进入小鼠体内,分别于处理后1天和15天处死小鼠,收集血液,进行血常规和血液生化检测,解剖取脏器,进行冰冻切片和HE染色观察,组织经消解后进行电感耦合等离子体质谱分析(ICP-MS). 结果：InP/ZnS QDs在肺中有明显蓄积,其中InP/ZnS-OH蓄积量最多,在肝脏、心脏、肾脏、脾脏等主要脏器中也有蓄积,说明量子点均能通过血气屏障,经由肺脏分散至血液中,最后分布至其他主要器官.小鼠体重和主要脏器系数没有明显变化.红细胞和血小板相关指标均在正常范围内,但白细胞比例发生失衡.HE结果显示,除InP/ZnS-NH2QDs组小鼠肺脏中有肺泡充血,其他组小鼠并没有明显的病理学异常. 结论：InP/ZnS QDs的毒性相对较低,其毒性与其表面官能团有关,如进行适当的表面修饰,InP/ZnS QDs能作为良好的荧光探针,用于靶向治疗或疾病诊断.

摘要： 利用气态源分子束外延生长的InAlAs/InGaAs/InP HEMT 结构上制备出了InP基肖特基二极管器件,器件开启电压为0.1V,理想因子1.94,具有较小的肖特基势垒0.356eV。在室温下对不同结构器件进行了高频特性测试,结果表明阳极尺寸为3μm×44μm三指结构器件的截止频率超过300GHz,该器件适合零偏下工作,并将可能和HRMT实现单片集成。

摘要： 利用气态源分子束外延生长的InAlAs/InGaAs/InP HEMT 结构上制备出了InP基肖特基二极管器件,器件开启电压为0.1V,理想因子1.94,具有较小的肖特基势垒0.356eV。在室温下对不同结构器件进行了高频特性测试,结果表明阳极尺寸为3μm×44μm三指结构器件的截止频率超过300GHz,该器件适合零偏下工作,并将可能和HRMT实现单片集成。

摘要： 提供了磷化铟衬底、检查磷化铟衬底的方法和制造磷化铟衬底的方法，通过该制造磷化铟衬底的方法，致使所述衬底上生长的外延膜优异地均匀，由此允许提高使用该外延膜形成的外延晶片的PL特性和电特性的改进。磷化铟衬底具有第一主表面和第二主表面。该磷化铟衬底在第一主表面上的中心位置处具有表面粗糙度Ra1而在四个位置处具有表面粗糙度Ra2、Ra3、Ra4和Ra5，这四个位置沿着第一主表面的外边缘等距地布置并且位于从外边缘向内5mm的距离处。表面粗糙度Ra1、Ra2、Ra3、Ra4和Ra5的平均值m1是0.5nm或更小，并且表面粗糙度Ra1、Ra2、Ra3、Ra4和Ra5的标准偏差σ1是0.2nm或更小。

摘要： 本发明公开了一种磷化铟尾料制备磷化铟多晶的方法，包括：将磷化铟尾料和过量红磷分别置于真空密封石英管的两端，再置于加热器中，将加热器置于压力容器内，在后续的加热过程中磷化铟尾料区域的温度高于红磷区域；加热升温确保在磷化铟尾料区域温度达到磷化铟的熔点前使石英管内压力达到磷化铟的离解压；待石英管内压力到达磷化铟离解压后，将磷化铟区域的温度升至1100～1300°C进行保温；然后对磷化铟区域进行分区域降温以使磷化铟进行定向凝固，得到磷化铟多晶料。本方法不仅能获得良率高的磷化铟多晶，而且可以提高磷化铟废料的利用率，简化工艺，降低生产成本，避免回收铟和磷过程中造成的资源浪费，减少废水废渣的产生，保护环境。

摘要： 本申请公开了一种磷化铟纳米晶的制备方法及由其制备的磷化铟纳米晶。磷化铟纳米晶的制备方法包括步骤：采用磷化氢配合物作为反应前驱体之一，其中，所述磷化氢配合物中含有供电子基团。本申请采用含有供电子基团的磷化氢配合物作为反应前驱体之一，其安全、成本低且方便取用，能够制备得到发光性能优良的磷化铟纳米晶。

摘要： 本发明一种磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管，其中包括：一衬底；该衬底上生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的N型子收集区；该子收集区上是轻掺杂的N型磷化铟收集区；该收集区生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的P型作为基区，基区上面是磷化铟发射区；最上面一层是作欧姆接触层。

摘要： 提供了磷化铟衬底、检查磷化铟衬底的方法和制造磷化铟衬底的方法，通过该制造磷化铟衬底的方法，致使所述衬底上生长的外延膜优异地均匀，由此允许提高使用该外延膜形成的外延晶片的PL特性和电特性的改进。磷化铟衬底具有第一主表面和第二主表面。该磷化铟衬底在第一主表面上的中心位置处具有表面粗糙度Ra1而在四个位置处具有表面粗糙度Ra2、Ra3、Ra4和Ra5，这四个位置沿着第一主表面的外边缘等距地布置并且位于从外边缘向内5mm的距离处。表面粗糙度Ra1、Ra2、Ra3、Ra4和Ra5的平均值m1是0.5nm或更小，并且表面粗糙度Ra1、Ra2、Ra3、Ra4和Ra5的标准偏差σ1是0.2nm或更小。

摘要： 本申请涉及半导体材料加工技术领域，具体公开了一种磷化铟研磨工艺与磷化铟。一种磷化铟研磨工艺，包括以下步骤：S1.第一研磨：采用水磨的方法进行第一次研磨；S2.第二研磨：使用第一研磨液进行研磨，第一研磨液中包括第一研磨粒，第一研磨粒的粒径为8‑13μm；S3.第三研磨：使用第二研磨液进行研磨，第二研磨液中包括第二研磨粒，第二研磨粒的粒径为4‑6μm。本申请的磷化铟研磨工艺效率高，研磨去除效率可以达到3.35‑3.57μm/min；研磨效果好，经本申请研磨工艺研磨后的磷化铟的表面粗糙度达到0.35‑1.02μm，且研磨后对磷化铟表面损伤小，表面划痕率达到5.21‑5.86%。

摘要： 本发明提供一种定向平面的平坦度的精度良好的磷化铟基板以及使用了该磷化铟基板的磷化铟基板的制造方法。一种磷化铟基板，其特征在于，所述磷化铟基板具有主面和定向平面，在定向平面端面的长尺寸方向上，在除了从定向平面端面的两端起向内侧3mm的宽度部分以外的面中，以基板厚度的5分之1的间隔设定四根剖面曲线，在分别测定四根剖面曲线中的JIS B 0601：2013中规定的最大高度Pz时，四根剖面曲线的最大高度Pz的最大值与最小值之差为定向平面端面的长尺寸方向的长度的10000分之1.50以下。

摘要： 本发明提供一种主面与定向平面相接的棱线的直线性的精度良好的磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法。一种磷化铟基板，其特征在于，所述磷化铟基板具有主面和定向平面，在主面与定向平面相接的在棱线上，除了从棱线的两端起向内侧3mm的长度部分以外，在棱线上以2mm的间隔设定从起点至终点的多个测定点，将连结起点和终点的直线设为基准线，将各测定点距基准线的距离设为各测定点的偏差时，偏差的最大值为棱线的长度的1000分之1以下。

摘要： 本发明公开了一种磷化铟尾料制备磷化铟多晶的方法，包括：将磷化铟尾料和过量红磷分别置于真空密封石英管的两端，再置于加热器中，将加热器置于压力容器内，在后续的加热过程中磷化铟尾料区域的温度高于红磷区域；加热升温确保在磷化铟尾料区域温度达到磷化铟的熔点前使石英管内压力达到磷化铟的离解压；待石英管内压力到达磷化铟离解压后，将磷化铟区域的温度升至1100～1300°C进行保温；然后对磷化铟区域进行分区域降温以使磷化铟进行定向凝固，得到磷化铟多晶料。本方法不仅能获得良率高的磷化铟多晶，而且可以提高磷化铟废料的利用率，简化工艺，降低生产成本，避免回收铟和磷过程中造成的资源浪费，减少废水废渣的产生，保护环境。

摘要： 提供一种磷化铟单晶，所述磷化铟单晶包含具有圆柱形状的直体部，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从所述直体部的外周面起朝中心轴向内10mm处的内周面与位于从所述外周面起向内5mm处的位置之间延伸。还提供一种磷化铟单晶衬底，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从外周起朝中心向内10mm处的内周与位于从所述外周起向内5mm处的位置之间延伸。