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彭燕; 陈秀芳; 谢雪健; 徐现刚; 胡小波; 杨祥龙; 于国建; 王垚浩;
山东大学;
晶体材料国家重点实验室;
新一代半导体材料研究院;
济南250100;
广州南砂晶圆半导体技术有限公司;
广州511458;
SiC单晶衬底; 微管密度; 6英寸; 半绝缘;
机译:电子束感应电流表征4H半绝缘碳化硅单晶
机译:半绝缘碳化硅单晶中蚀刻坑形态的比较研究
机译:半绝缘碳化硅衬底上钛酸锶钡的铁电薄膜
机译:半绝缘蚀刻坑形态的比较研究碳化硅单晶
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机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:在绝缘碳化硅衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT的功率RF操作
机译:载流子注入到mEsFET衬底中的影响:mEsFET在半绝缘缓冲器,p衬底上的mEsFET和无衬底mEsFET上的比较
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机译:生长半绝缘碳化硅单晶锭的方法和用于生长碳化硅单晶锭的装置
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