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蔡树军; 潘宏菽; 陈昊; 李亮; 赵正平;
河北半导体研究所;
碳化硅; 微波; 功率; MESFET;
机译:高纯度半绝缘衬底上微波4H-SiC MESFET的电热模拟
机译:使用注入法在半绝缘SiC衬底上制造MESFET
机译:用离子注入法在半绝缘SiC衬底上制造MESFET
机译:块状半绝缘4H-SiC衬底上具有高掺杂薄沟道层的全离子注入MESFET的RF特性
机译:硅(Si)基板上的单向常态垂直碳化硅(3C-SiC)MESFET。
机译:具有重掺杂区域的新型4H-SiC MESFET轻微掺杂的区域和绝缘区域
机译:硅(si)衬底上的单向常通垂直碳化硅(3C-siC)mEsFET
机译:载流子注入到mEsFET衬底中的影响:mEsFET在半绝缘缓冲器,p衬底上的mEsFET和无衬底mEsFET上的比较
机译:在半绝缘衬底上形成的Mesfet器件
机译:半绝缘碳化硅衬底上的氮化物基晶体管
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