ion implantation; MESFET; semi-insulating substrate; ft; fmax;
机译:块状半绝缘4H-SiC中的全离子注入MESFET
机译:高纯度半绝缘衬底上4H-SiC MESFET的物理模拟和实验结果
机译:高纯度半绝缘衬底上4H-SiC MESFET的物理模拟和实验结果
机译:块状半绝缘4H-SiC衬底上具有高掺杂薄沟道层的全离子注入MESFET的RF特性
机译:直接离子注入砷化镓MESFET和低激励电压RF MEM开关的开发。
机译:具有部分低掺杂沟道的改进型4H-SiC MESFET
机译:有源层–半绝缘衬底界面对GaAs MESFET组件的影响
机译:载流子注入到mEsFET衬底中的影响:mEsFET在半绝缘缓冲器,p衬底上的mEsFET和无衬底mEsFET上的比较