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导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET

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本文分别在导通和半绝缘4H SiC衬底上生长了MESFET结构的外延并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25-30 mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W;在相同条件下半绝缘衬底的SiC MESFET饱和输出功率为3.38W,64V工作时最大输出功率超过4W.缓冲层参致的不同是造成微波性能差异的主要原因.

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来源
《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2006年|539-542|共4页
会议地点广西北海
作者
柏松; 陈刚; 李哲洋; 张涛; 汪浩; 蒋幼泉;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;半导体器件制造工艺及设备;
关键词
碳化硅; 导通衬底; 半绝缘衬底; 微波功率; MESFET结构;

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