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中国电子学会;
广州市科协;
电子迁移率; 晶体管; 电流崩塌; 输出功率; 异质结; 振荡频率; 半绝缘衬底;
机译:MBE在表观准备好半绝缘的蓝宝石GaN衬底上由MBE再生的AlGaN / GaN HEMT,具有抑制的界面污染
机译:在半绝缘SiC衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中,碳掺杂对击穿,电流崩塌和动态导通电阻恢复的作用
机译:半绝缘SiC衬底上调制掺杂AlGaN / GaN异质结构的生长和分析
机译:在半绝缘4H-SiC衬底上制造SiC和GaN微波器件的研究进展
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:在4H-SiC衬底上生长的AlGaN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管结构的时间分辨光致发光特性
机译:用于高频器件制造的半绝缘GaN衬底。
机译:具有与c-AlGaN覆盖层绝缘的栅电极的常关立方相GaN(c-GaN)HEMT
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
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