Gallium nitrides; Iron; Temperature; Doping; Electron donors; Epitaxial growth; Fabrication; Films; High frequency; Impurities; Insulation; Morphology; Near infrared radiation; Optical properties; Photoluminescence; Substrates; X ray diffraction; Characterization; Hydride;
机译:用于高频器件制造的半绝缘GaN衬底
机译:高频器件制造中掺铁半绝缘GaN衬底的性能
机译:基于半绝缘GaN的GaN金属氧化物半导体器件的常关操作电位
机译:在半绝缘4H-SiC衬底上制造SiC和GaN微波器件的研究进展
机译:GaN基传感器和高频电力电子的器件技术和集成。
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:基于半绝缘GaN的GaN金属氧化物半导体器件的常关操作的可能性