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贾鑫; 魏俊俊; 黄亚博; 邵思武; 孔月婵; 刘金龙; 陈良贤; 李成明; 叶海涛;
北京科技大学;
北京100083;
南京电子器件研究所;
南京210016;
School of Engineering;
University of Leicester;
Leicester LE17RH;
UK;
金刚石; 氮化镓; 电子器件; 转移技术; 高热导率; 界面热阻;
机译:GaN HEMT在SI衬底上用金刚石散热器进行高功率应用
机译:用于GaN基大功率晶体管器件的散热金刚石膜
机译:块状GaN衬底上的垂直GaN基功率器件,用于未来的功率开关系统
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:MBE生长的微波GaN HEMT研究进展 ud在硅和智能Cut TM工程衬底上的 ud用于大功率应用
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:GaN的脉冲生长及其在III类氮化物半导体衬底中的纳米材料和器件中的应用。
机译:GaN纳米线的脉冲生长及其在III族氮化物半导体衬底材料和器件中的应用
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