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王丽; 王翠梅;
总装科技信息研究中心;
中国科学院半导体研究所;
机译:稀土在半导体材料和器件中的应用进展
机译:用于半导体器件的AG-Rouin半导体器件280个H材料的半导体热研究。
机译:用于未来电源开关系统的GaN基半导体器件
机译:用于节能半导体器件的Si / GaN异质结构的GaN和界面工程的表面工程
机译:微型器件-研究固态材料固有特性的另一种途径:半导体TaGeIr
机译:通过低频S参数测量和基于TCAD的物理器件仿真识别微波功率AlGaN / GaN HEMT中的GaN缓冲阱
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性
机译:GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
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