公开/公告号CN209626222U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-11-12
原文格式PDF
申请/专利权人 江西兆驰半导体有限公司;
申请/专利号CN201821396331.1
发明设计人 武良文;
申请日2018-08-28
分类号
代理机构
代理人
地址 330000江西省南昌市南昌高新技术产业开发区高新二路18号创业大厦503、515室
入库时间 2022-08-22 11:17:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-12
授权
授权
机译: Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
机译: Si衬底上GaN基器件的热处理方法
机译: 用于GaN基高电子迁移率晶体管的外延多层结构和包含该结构的晶体管