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复合GaN衬底、制造复合GaN衬底的方法、III族氮化物半导体器件和制造III族氮化物半导体器件的方法

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摘要

本复合GaN衬底（1）包括：导电GaN衬底（10），其具有小于1Ωcm的电阻率；和半绝缘GaN层（20），其设置在导电GaN衬底（10）上，具有1×10

著录项

  • 公开/公告号CN103180935A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 住友电气工业株式会社;

    申请/专利号CN201180051185.3

  • 发明设计人 木山诚;松原秀树;冈久拓司;

    申请日2011-11-22

  • 分类号H01L21/338;C23C16/34;H01L21/205;H01L29/778;H01L29/812;

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人李兰

  • 地址 日本大阪府大阪市

  • 入库时间 2024-02-19 19:50:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-22

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/338 申请公布日:20130626 申请日:20111122

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-12-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/338 申请日:20111122

    实质审查的生效

  • 2013-06-26

    公开

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