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宋琳;
大连理工大学;
化学气相沉积; 氮化镓; 蓝宝石衬底; 碳化硅衬底; 晶格失配; 张应力;
机译:AIN缓冲层的生长温度对MOVPE在6H-SiC衬底上生长的GaN膜的质量和应力的影响
机译:在3c-SiC / Si衬底上GaN膜的MOVPE生长-氮化处理对衬底表面的影响-
机译:在SiC和Al2O3衬底上生长的AlGaN / GaN异质结构的导电层中的热载流子能量损失
机译:掺杂SiC衬底上生长的AlGaN / GaN掺杂沟道异质结场效应晶体管中的衬底偏置效应
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:Al2O3,Si和SiC衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT的低频噪声
机译:倾角对钴(0001)siC衬底上生长siC外延薄膜形貌的影响
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译:GaN晶体,GaN自支撑衬底,用于GaN晶体生长的籽晶衬底,GaN晶体制造方法和GaN自支撑衬底制造方法
机译:氨源MBE在SIC衬底上的GAN选择性生长
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