机译:AIN缓冲层的生长温度对MOVPE在6H-SiC衬底上生长的GaN膜的质量和应力的影响
Organometallic vapor phase epitaxy Nitrides; Semiconducting silicon compounds; High-resolution; X-ray diffraction;
机译:AIN缓冲层的生长温度对MOVPE在6H-SiC衬底上生长的GaN膜的质量和应力的影响
机译:使用化学剥离和室温直接晶片键合以及GaN晶片规模在ZnO缓冲蓝宝石上进行GaN晶片规模的MOVPE生长,从蓝宝石转移到玻璃基板的MOVPE GaN薄膜的结构和成分表征
机译:6H-SiC衬底取向不良对MOVPE生长的GaN外延层质量的影响
机译:MOVPE高质量的GAN电影在SI(111)基板上使用多层AIN缓冲液
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:用Al预播种AlN缓冲液在SiC / Si(111)衬底上生长的GaN薄膜的生长和表征
机译:在(00-1)蓝宝石,(100)和(111)硅衬底上生长的高质量aIN和GaN外延层