机译:碳掺杂对半绝缘SiC基板上的AlGaN / GaN高电子迁移晶体管中的击穿,电流塌陷和动态导通恢复的作用
机译:在半绝缘SiC衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中,碳掺杂对击穿,电流崩塌和动态导通电阻恢复的作用
机译:具有非常薄的SiO_2栅极电介质的Si(111)衬底上的AlGaN / GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管的直流性能和电流崩溃
机译:半绝缘6H-SiC衬底上的高功率密度0.25μm栅长AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:MOCVD在半绝缘SIC基板上生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的缺陷和表面性能研究
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌可能源于通道电子的能量弛豫?