公开/公告号CN111874891B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-16
原文格式PDF
申请/专利权人 河北同光晶体有限公司;
申请/专利号CN202010713285.9
申请日2020-07-22
分类号C01B32/184(20170101);H01L31/028(20060101);H01L31/103(20060101);H01L31/18(20060101);H01L29/16(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构11901 北京盛询知识产权代理有限公司;
代理人刘静
地址 071000 河北省保定市北三环6001号
入库时间 2022-08-23 12:48:16
机译: 高纯半绝缘碳化硅单晶的制备方法
机译: 高纯碳化硅晶体中半绝缘电阻的制造方法
机译: 高纯碳化硅晶体中半绝缘电阻率的制造方法