一种GaN绝缘或半绝缘外延层的制备方法

摘要

本发明提供了一种高晶体质量的GaN绝缘或半绝缘外延层的制备方法，该方法是以Al₂O₃、SiC或Si为衬底，在衬底经高温氮化后，依次于750～780℃下高温生长AlN成核层，于720～730℃下低温三维生长GaN成核层，再于750～780℃下高温二维生长GaN外延层，继续外延生长GaN的同时，实行原位金属Fe、Cr或Mg掺杂，制备出高位错密度、相对粗糙的GaN绝缘层。此后制备AlGaN/GaN超晶格结构或采用间歇式原子层沉积法生长GaN过渡层，最后在720～730℃、高III/V比条件下生长出高晶体质量、表面光滑的GaN外延层。以用本发明方法制备的这种GaN绝缘或半绝缘外延层为衬底材料，可生长微波器件结构。