高质量半绝缘GaN生长研究

摘要

AlGaN/GaN异质结构和AlInN/GaN异质结构是发展GaN基高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构。而半绝缘GaN层的电阻和结晶质量对AlGaN/GaN和AlInN/GaN异质界面二维电子气的浓度和迁移率都有很大的影响,从而影响到HEMT器件的性能。本文提出用AlN层隔绝0的并入来抑制非故意掺杂的GaN背景载流子浓度,并且再使用二步生长法对AlN隔离层上生长的GaN结晶质量进行优化的方法,制造出高质量的半绝缘的GaN模板,并研究了二步生长法对提高GaN层结晶质量的作用机制。