通过在生长期间消除氮极性小面而在异质衬底上生长的无堆垛层错的半极性和非极性GAN

摘要

描述了用于在图案化的异质衬底上形成具有低堆垛层错密度的第III族氮化物材料的外延层的方法和结构。可以从图案化的衬底的晶体生长小面生长基本上没有堆垛层错的GaN的半极性和非极性取向。可以使用蚀刻去除堆垛层错(如果存在)。使用杂质的晶体生长可以消除从造成堆垛层错形成的小面的晶片生长，并且允许第III族氮化物材料的基本上无堆垛层错的生长。