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m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性

         

摘要

用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出m面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化m面GaN单晶薄膜.

著录项

  • 来源
    《半导体学报》 |2007年第z1期|249-252|共4页
  • 作者单位

    南京大学物理系;

    江苏省光电功能材料重点实验室;

    南京;

    210093 南京大学物理系;

    江苏省光电功能材料重点实验室;

    南京;

    210093 南京大学物理系;

    江苏省光电功能材料重点实验室;

    南京;

    210093 南京大学物理系;

    江苏省光电功能材料重点实验室;

    南京;

    210093 南京大学物理系;

    江苏省光电功能材料重点实验室;

    南京;

    210093 南京大学物理系;

    江苏省光电功能材料重点实验室;

    南京;

    210093 南京大学物理系;

    江苏省光电功能材料重点实验室;

    南京;

    210093 南京大学物理系;

    江苏省光电功能材料重点实验室;

    南京;

    210093 南京大学物理系;

    江苏省光电功能材料重点实验室;

    南京;

    210093 南京大学物理系;

    江苏省光电功能材料重点实验室;

    南京;

    210093 中国科学院上海光学精密机械研究所;

    上海;

    201800 南京大学物理系;

    江苏省光电功能材料重点实验室;

    南京;

    210093 南京大学物理系;

    江苏省光电功能材料重点实验室;

    南京;

    210093;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN304.2+3;
  • 关键词

    MOCVD; m面; 非极化; GaN;

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