基于a面6H-SiC衬底上非极性a面GaN的MOCVD生长方法

摘要

本发明公开了一种基于a面6H-SiC衬底的非极性a面GaN薄膜生长方法，主要解决常规非极性材料质量差的问题。其生长步骤是：(1)将a面6H-SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理；(2)在a面SiC衬底上生长厚度为100-200nm，温度为600-800℃的无应力AlInN成核层；(3)在所述无应力AlInN成核层之上生长厚度为1000-2000nm，镓源流量为5-100μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm的高V-III比非极性a面GaN缓冲层；(4)在所述非极性a面GaN缓冲层之上生长厚度为100-500nm，温度为600-800℃的无应力AlInN插入层；(5)在所述无应力AlInN插入层之上生长厚度为2000-4000nm，镓源流量为50-200μmol/min，氨气流量为1000-3000sccm的低V-III比非极性a面GaN外延层。本发明的a面GaN薄膜具有低缺陷的优点，用于制作非极性a面GaN发光二极管。