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一种半绝缘GaN薄膜及其制备方法

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摘要

本发明提供了一种半绝缘GaN薄膜及其制备方法，其中，在该半绝缘GaN薄膜中从下至上依次包括衬底、缓冲层、GaN模板层以及GaN薄膜层，其中，所述GaN薄膜层为掺杂有碳和铁的半绝缘GaN薄膜层。该半绝缘GaN薄膜品质高、纯度高，杂质的记忆效应小，绝缘性能好，能有效的减少器件的漏电流。

公开/公告号CN107546260A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-05

原文格式PDF
申请/专利权人江西省昌大光电科技有限公司;
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申请/专利号CN201610496530.9
发明设计人陈振;
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申请日2016-06-29
分类号H01L29/20(20060101);H01L29/207(20060101);H01L21/02(20060101);C30B25/02(20060101);C30B29/40(20060101);
代理机构
代理人
地址 330096 江西省南昌市高新区艾溪北路699号
入库时间 2023-06-19 04:09:28

1. 一种半绝缘GaN薄膜及其制备方法 [P] . 中国专利： CN107546260A . 2018-01-05
2. 一种生长在图形化硅衬底上的半极性GaN薄膜及其制备方法 [P] . 中国专利： CN104037291B . 2017.06.20
3. Method of preparation of a substrate made of zno in part or legends figs. 1 a semi - insulating or dope of type p, substrates obtained, and devices producing, electro or optoelectronic comprising [P] . 法国专利： FR2935068B1 . 2011-02-25

机译：图2是部分由zno制成的基底的制备方法。 1，一种p型半绝缘或涂料，获得的衬底以及生产电或光电子的器件，包括
4. Method of preparation of a substrate made of zno in part or legends figs. 1 a semi - insulating or dope of type p, substrates obtained, and devices producing, electro or optoelectronic comprising [P] . 法国专利： FR2935068A1 . 2010-02-19

机译：图2是部分由zno制成的基底的制备方法。 1，一种p型半绝缘或涂料，获得的衬底以及生产电或光电子的器件，包括
5. A method for the preparation of conductive or semiconductive detected on ceramic insulating bodies [P] . 德国专利： DE973643C . 1960-06-02

机译：一种在陶瓷绝缘体上检测到的导电或半导电材料的制备方法