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机译:在(311)A-和(311)B-INP基板上的MOCVD载体/ INP中的载体/ INP中的载体和热再分布
Univ Monastir Fac Sci Monastir Dept Phys Microoptoelect & Nanostruct Lab Environm St Monastir 5019 Tunisia;
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机译:MOCVD在(311)A-和(311)B-InP衬底上生长的InAlAs / InP中的载流子定位和热重分布
机译:MOCVD在(311)A和(311)B INP平面上的inaias / InP量子孔的比较光学研究
机译:基材极性对(311)A和(311)B取向的光学和振动性质的影响,取向Inalas / InP异质结构
机译:通过MOCVD在(311)B InP衬底上制造InP / InGaAs隧道结
机译:在电子和光子器件应用的硅基板上MOCVD生长的InP和相关薄膜。
机译:在(311)面向衬底的液滴外延量子点中的激子动态
机译:压电件对(311)A和(311)B取向Inalas / InP异质结构的光学性质的影响