III-V quantum dots; droplet epitaxy; exciton dynamics; (311)A oriented substrate;
机译:GaAs / AIGaAs量子线和液滴外延在(311)A衬底上生长的量子点的结构原子尺度分析
机译:发行人注:“通过(311)A衬底上的液滴外延生长的GaAs / AIGaAs量子线和量子点的结构原子尺度分析” [Appl。物理来吧98,193112(2011)]
机译:从In0.35Ga0.65As模板到在GaAs(311)B衬底上生长的InAs量子点的有效激子转移
机译:通过SiO2溅射和退火技术在InP(311)B衬底上生长的高度堆叠的InAs / InGaAlAs量子点的混合
机译:Quantum Dot激光在硅外延生长
机译:GaAs(111)A衬底上的液滴外延生长InAs量子点的特性和热退火效应
机译:在(311)面向衬底的液滴外延量子点中的激子动态