InN量子点的液滴外延及物性表征

摘要

由于1.55μm波段广泛应用于通信领域,为了探索不同生长温度对InN量子点的形貌影响,并且实现自组装InN量子点在1.55μm通信波段的发光,对InN量子点的液滴外延及物性进行了相关研究.首先利用射频等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术在GaN模板上,采用液滴外延方法在3种温度下生长了InN量子点结构.生长过程中靠反射高能电子衍射(RHEED)对样品进行原位监控.原子力显微镜(AFM)表征结果表明随着生长温度升高,量子点尺寸变大,密度减小.在生长温度350℃和400℃下,观测到了量子点;当温度高于450℃时,未观测到InN量子点.当生长温度为400℃时,量子点形貌最好,密度为6×108/cm2,对400℃下生长的InN量子点进行了变温PL测试,成功得到InN量子点在1.55μm波段附近的光致发光,并且随着测试温度的升高,量子点的发光峰位发生了先红移后蓝移最后又红移的S型曲线变化,这种量子点有望在未来应用于量子通信领域.