机译:压电件对(311)A和(311)B取向Inalas / InP异质结构的光学性质的影响
机译:基材极性对(311)A和(311)B取向的光学和振动性质的影响,取向Inalas / InP异质结构
机译:压电场对不同基材极性InAl / InP(311)合金中II型转变的影响
机译:InP(100)和InP(311)B衬底上InAs / InP量子点的电子和光学性质:理论和实验
机译:在(111)B INP基板上生长的INALAS / INP型异质结构的光学性质
机译:取向的(铟,镓)砷/(铝,镓)砷量子阱结构及其光学和应变诱导的压电和热电性质。
机译:在(311)面向衬底的液滴外延量子点中的激子动态
机译:错误到:“InP衬底上的Inalas / InGaAs / Inalas HEMT异质结构的结构和电性能与inaS阱插入量”
机译:用于InGaas热光电器件中埋入式反射器/互连应用的InGaas / Feal / Inalas / Inp异质结构的生长和性质