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张晓波;
不详;
MOCVD生长技术; 外延层; 发光特性; 磷化铟;
机译:MOCVD生长的掺锂ZnS外延层的发光特性
机译:MOCVD生长的高Mg掺杂GaN外延层的电输运特性
机译:远程等离子体MOCVD技术生长的同质外延InP薄膜的光致发光特性
机译:InP衬底与通过MOCVD生长的外延层之间的界面处n型载流子的生长条件依赖性
机译:富铝氮化铝/氮化铝镓外延层和量子阱的MOCVD生长和表征。
机译:InGaAs / InP核壳纳米线的自种MOCVD生长和显着增强的光致发光
机译:通过液相外延将InP / IngaASP异质结构的外延层生长在异形的INP表面上
机译:Gaas衬底上生长的mOCVD CdTe外延层中的晶格参数异常
机译:利用MOCVD对高质量外延层进行四步纳米线外延横向过生长的方法
机译:设定晶片外延层的生长温度的方法及生长外延层的方法
机译:具有负光电导特性的Ge外延层的生长以及使用该外延层的光电二极管的生长
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