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刘宝林;
无;
机译:使用氮载体进行LP-MOCVD生长的W波段应用的0.1- / spl mu / m T-gate无铝InP / InGaAs / InP pHEMT
机译:Ⅴ/Ⅲ比对LP-MOCVD低温生长的InGaAs和InP的影响
机译:InGaAs / InP和InGaAs / AlAs / InP MBE生长异质结构的二次离子质谱深度分布中的离子刻蚀效应
机译:0.2 / spl mu / m的T栅InP / InGaAs / InP pHEMT,具有通过使用N / sub 2 /载体的LP-MOCVD生长的InGaP扩散阻挡层
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:使用简单的基板倾斜方法在InP(111)B基板上自催化InP / InAs / InP一维纳米结构的拉曼光谱表征
机译:LP-MOCVD法生长拉伸应变InGaAs / InP的多量子阱的研究
机译:变质HBT:在Gaas衬底上生长的Inp / InGaas / Inp器件。
机译:InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。
机译:InP / ZnS-InP / ZnS-用其制造InP / ZnS核壳量子点和InP / ZnS核壳量子点的方法
机译:InP InP / ZnS / InP量子点的制备方法和InP / ZnS核/壳量子点的制备方法
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