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王永珍; 金长春; 吕贵进;
不详;
LPE; InAsPSb; 降温; 恒温; 组分分布;
机译:具有外延层厚度分布变化的半导体异质结构的LPE生长新方法
机译:在6H-SiC上通过VLS生长的(111)3C-SiC种子上LPE生长的SiC外延层中的缺陷诱导多型转变
机译:在6H-SiC上通过VLS生长的(111)3C-SiC种子上的LPE生长的SiC外延层中的缺陷诱导多型转变
机译:在4H-碳化硅PVT生长的块状晶体,CVD生长的外延层和器件中的缺陷研究。
机译:大肠杆菌限制氨化的化学恒温器生长的生理生物量元素组成和蛋白质组学分析以及与限制铁和葡萄糖的化学恒温器生长的比较
机译:利用水平滑块生长LpE的HgCdTe外延层的特性
机译:定向对LpE(液相外延)和VpE生长的碲化镉表面形貌的影响
机译:在衬底上产生有源晶体管区的步骤包括在衬底上产生沟槽的掺杂区,产生外延层,在外延层中形成逆向掺杂分布并进一步处理。
机译:估算孔径分布对非常规页岩气油藏中多组分烃体系相平衡影响的方法
机译:设定晶片外延层的生长温度的方法及生长外延层的方法
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