三甲基硼作为掺杂剂的P型a-SiC:H新型窗口材料的研究

摘要

宽带隙,高电导的P型a-Si合金窗口材料是研制非晶硅太阳电池的关键.与用乙硼烷作为掺杂剂相比,用三甲基硼掺杂可以大幅度降低P材料中的B—B键和B原子的密度,从而有效减少材料中的缺陷态密度,提高掺杂效率.因此能够制备出宽光学带隙且高电导的优质P型材料.我们已经制备出了σ<,D1.0×10<'-6>S/cm,E<,g>1.9eV的P型窗口材料.本文研究了用三甲基硼作为掺杂剂时衬底温度、各种反应气体流量等工艺条件对P型a-SiC:H材料及其电池性能的影响.