机译:通过在金属化层中添加p型掺杂剂来改善与P–GaN接触的欧姆特性
机译:通过在金属和P–GaN层之间添加Swcnt金属化中间层来改善Au / Ni–Mg / P–GaN接触的欧姆特性
机译:Ni / Ag金属化方案在p型GaN上的欧姆接触特性
机译:金属催化的多孔n型GaN层:低电阻欧姆接触和单步MgO / GaN二极管形成
机译:铟过渡金属与n型砷化镓的欧姆接触的热力学研究,以及季镓-铟-(过渡或贵金属)-砷体系的热化学行为概述。
机译:通过插入TiO2中间层改善低温处理的金属/ n-Si欧姆接触的可弯曲单晶硅纳米膜薄膜晶体管
机译:通过在金属和P-GaN层之间添加SWCNT金属化层间来改善Au / Ni-Mg / p-GaN触点的欧姆特性
机译:p型和n型GaN上的W和W si(x)欧姆接触;真空科学与技术杂志a.