机译:温度和注入水平的依赖性以及热氧化对p型和n型4H-SiC外延层中载流子寿命的影响
机译:温度和注入水平的依赖性以及热氧化对p型和n型4H-SiC外延层中载流子寿命的影响
机译:降低深能级和表面钝化对p型4H-SiC外延层中载流子寿命的影响
机译:表面和衬底中复合对n型4H-SiC外延层载流子寿命的影响
机译:p型和n型4H-SiC外延层中载流子寿命的温度和注入水平依赖性
机译:基于4h-sic n型外延层和cdznte的紧凑型高分辨率辐射探测器的制造与表征。
机译:氧化石墨烯的不同氧化度对P型和N型硅异质结光电探测器的影响
机译:降低深能级和表面钝化对p型4H-SiC外延层中载流子寿命的影响