State University of New York at Stony Brook.;
机译:4H-和6H-碳化硅碳化硼的制备,性质和表征(Vol 47,PG 55,2015)
机译:使用I-V和深层瞬态光谱技术研究n型4H和6H碳化硅衬底上导电聚合物中的深层缺陷
机译:使用Ⅰ-ⅤI和深能级瞬态光谱技术研究n型4H和6H碳化硅衬底上导电聚合物中的深层缺陷
机译:用于制备高质量SiC外延层的6H-碳化硅衬底的表面制备
机译:在6H-碳化硅和15R-碳化硅衬底上生长的砷化硼外延层的缺陷结构和生长机理。
机译:立方碳化硅外延层中缺陷的非线性光学成像
机译:铍注入引起p型6h碳化硅的深层缺陷