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International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR
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1.
Characterization of Non-Equilibrium Charge of MOS Capacitors on P-Type 4H SiC
机译:
P型4H SiC上MOS电容器的非平衡电荷的表征
作者:
K. Y. Cheong
;
S. Dimitrijev
;
J. Han
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
capacitance-transient;
nonvolatile memory;
nitrided gate oxide;
effective generation rate;
surface-generation velocity;
minority-carrier lifetime;
2.
Characteristics of 6H-SiC bipolar JTE diodes realized by sublimation epitaxy and Al implantation
机译:
通过升华外延和铝注入实现6H-SiC双极JTE二极管的特性
作者:
A. M. Strelchuk
;
A.A. Lebedev
;
D.V. Davydov
;
N.S. Savkina
;
A.M. Kuznetsov
;
M.Ya. Valakh
;
V.S.Kiselev
;
B.N. Romanyuk
;
C. Raynaud
;
J.-P. Chante
;
M.-L. Locatelli
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
sublimation epitaxy;
implantation;
annealing;
JTE protection;
current voltage characteristics;
high temperature devices;
3.
Characterizations of SiC/SiO_2 interface quality toward high power MOSFETs realization
机译:
SiC / SiO_2界面质量对大功率MOSFET实现的表征
作者:
D. Ziane
;
J.M. Bluet
;
G. Guillot
;
P. Godignon
;
J. Monserrat
;
R. Ciechonski
;
M. Syvaejaervi
;
R. Yakimova
;
L. Chen
;
P. Mawby
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
MOS;
interface states;
sublimation epitaxy;
C-V;
G-V;
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