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机译:在SiC衬底上生长的p型4H-,6H-和3C-SiC外延层中缺陷的表征
Nagoya Inst Technol Dept Elect & Mech Engn Nagoya Aichi 4668555 Japan|Nagoya Inst Technol Frontier Res Inst Mat Sci Nagoya Aichi 4668555 Japan;
Nagoya Inst Technol Dept Elect & Mech Engn Nagoya Aichi 4668555 Japan;
Chubu Univ Kasugai Aichi 4878501 Japan;
Silicon carbide; P-type epilayer; Polytype; Deep level; Structural defect;
机译:在SiC衬底上生长的p型4H-,6H-和3C-SiC外延层中缺陷的表征
机译:通过氧化激活和控制4H-,6H-和3C-SiC中可见的单个缺陷
机译:在6H-SiC上通过VLS生长的(111)3C-SiC种子上LPE生长的SiC外延层中的缺陷诱导多型转变
机译:用深层光学光谱法检测4H,6H和3C-SiC中的中间能隙缺陷
机译:在4H和6H碳化硅衬底上生长的砷化硼外延层的生长机理和缺陷结构。
机译:通过室温μ-光致发光和μ-拉曼分析表征3C-SiC外延层截面中的4H和6H类堆积缺陷
机译:在无台阶表面异质外延过程中在4H-和6H-siC衬底台面上生长的3C-siC薄膜的表征