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正轴6H-SiC衬底上3C-SiC薄膜的低压化学气相沉积生长

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通过低压化学气相沉积,在正轴6H-SiC(0001)衬底上沉积了3C-SiC薄膜,X射线衍射表明薄膜结晶质量良好.研究了生长参数对生长速率的影响,发现硅烷及其分解产物的输运是薄膜生长的限定因素.用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌.这些结果表明薄膜的生长符合S-K方式.

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来源
《化学物理学报》|2007年第3期|305-307|共3页
作者
郑海务; 傅竹西; 林碧霞; 李晓光;
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作者单位

合肥微尺度物质科学国家实验室,中国科学技术大学物理系,合肥 230026;

合肥微尺度物质科学国家实验室,中国科学技术大学物理系,合肥 230026;

合肥微尺度物质科学国家实验室,中国科学技术大学物理系,合肥 230026;

合肥微尺度物质科学国家实验室,中国科学技术大学物理系,合肥 230026;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词
3C-SiC; 正轴6H-SiC; 低压化学气相沉积; 生长模式;
入库时间 2023-07-25 16:45:32

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