生长模式

摘要： 两种材料的界面是物质交换和能量交换的场点,在电子器件中起着关键作用。同种材料可在不同基底材料上形成多种不同的薄膜形态,并展现不同的器件性能。本文综述了高迁移率有机小分子半导体2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)在不同的功能材料上的真空沉积薄膜生长、界面过程以及界面电子结构。C8-BTBT分子的薄膜生长取决于衬底与C8-BTBT以及C8-BTBT分子之间的相互作用。在原子级光滑衬底上,C8-BTBT薄膜一般以层状模式生长,而在粗糙衬底上,C8-BTBT薄膜倾向于岛状模式生长。在电介质、半导体和导电衬底上沉积的初始C8-BTBT分子层显示出略有不同的晶格结构。界面层C8-BTBT分子的取向取决于衬底与有机分子的相互作用,但是在厚膜情况下表面层终将改变为直立构型。C8-BTBT与电介质或高功函数导电材料接触时表现为电子供体,这通常会诱导出指向C8-BTBT的界面偶极层,以及C8-BTBT侧朝向界面的向上能带弯曲。尽管C8-BTBT具有空气稳定性,但仍会在某些过渡金属,如镍、钴和化合物界面发生化学反应。C8-BTBT界面电子结构与其薄膜形貌和分子取向有关,当膜厚增加、分子取向从平躺到直立时,C-H会形成表面偶极层,导致电离能减小。本文提供了C8-BTBT的界面物理和化学过程的机制分析,并为基于C8-BTBT的电子器件的优化设计和制造提供参考。

摘要： 坳陷湖盆大型浅水三角洲是目前中国陆上岩性油气藏规模储量增长的主体.通过对松辽盆地南部上白垩统保乾三角洲和现代鄱阳湖赣江三角洲解剖,重点探讨湖盆浅水三角洲形成的地质背景、沉积特征与生长模式.结果表面:①坳陷湖盆具有形成大型浅水三角洲的沉积背景,敞流型湖盆导致的湖平面频繁升降控制了浅水三角洲的纵横向发育规模.②松辽盆地南部上白垩统发育2种不同类型的三角洲,深湖型三角洲一般呈朵叶状,沉积亚相展布清晰,沉积微相以分流河道、河口坝和分流河道间为主;浅湖型三角洲一般呈鸟足状或树枝状,沉积亚相分异不明显,沉积微相以分流河道和分流河道间为主,河口坝不发育;③通过现代沉积遥感定量分析,刻画了鄱阳湖赣江中支三角洲近50年的发育特征和演化规律,揭示了分流河道从分散树枝状到闭合结网状的生长过程.④坳陷湖盆大型浅水三角洲是不断发育的多期朵叶体在平面上拼接而成的复合体,其中分流河道是最重要的储集砂体类型,在平面上呈结网状分布,控制了大面积岩性油气藏的分布与富集.

摘要： “后理论时代”的核心主题是理论对自身的反思与重构,其中的关键之处在于重新审视理论在鼎盛时期的得与失,进而寻找理论继续存在的合理性与继续发展的可能性。“后理论时代”首先要破除对于理论无所不能的盲目迷信,对理论向外扩张的欲望加以约束。其次对盛行于理论鼎盛时期的“大规模转型”模式进行反思,重审当下理论与“神谕式人物”之间的关系。“后理论时代”最重要的特征是强调对话关系的构建,唯其如此,理论才能在新时代不断发展并发挥特有的效用。

摘要： 利用密度泛函理论(DFT)研究了VSi0n/-(n=6-16)结构的生长模式和稳定性.结果表明,VSin中性团簇和其相应阴离子的结构基本相似,除了n=9,13,16之外.它们的生长模式都是从吸附结构(n=7-11)向笼形结构(n=12-16)发展.VSi01/2-六棱柱结构是体系的最小笼形结构,而且具有优良的热力学稳定性和化学稳定性,这为今后新型多功能纳米材料理想结构单元的研究提供有力的理论指导.

摘要： 1.北京科技大学:“杂质”元素推动量子技术的革命?在大多数情况下,氮元素被认为是金刚石结构内部的“杂质元素”,是恶化金刚石材料某些性能的“罪魁祸首”。然而,这种最常见元素的存在却能够改变金刚石的生长模式,赋予金刚石绚丽的色彩,甚至有力地推动量子技术的革命。

摘要： 利用再生水作为河流、湖泊补给水已成为城市水环境治理的重要措施,但是再生水的汇入也为一些水体带来了"藻华"爆发的风险.针对再生水补给水体中易出现的丝状藻"藻华"现象,以华南地区某再生水补给的河流水体为例,通过现场调研和实验室实验,分析了丝状藻的生长模式及爆发成因.研究结果表明:丝状藻生长过程分为休眠、萌发、扩增和爆发4个阶段,在前3个阶段,丝状藻底部附着在河流底泥上并不断向水中分生出丝状体,积累到一定程度后挣脱底质上浮形成爆发.水网藻是案例河段"藻华"中的优势种类,生长速率和最大密度都远远高于伴生种类单歧藻,属于丝状藻"藻华"藻;水网藻的最适生长温度在25°C左右,但在15°C的低温下也具有生物量扩增能力;丝状藻的低温生长优势、在底质上的锚定和底质表面充足的光照是案例河段丝状藻"藻华"爆发的主要原因;建议通过底质铺设砾石层、抚育耐寒型沉水植被和以丝状藻为食的水生动物及采取早期生物量监控预警等措施对丝状藻"藻华"进行控制.

摘要： 一个好的数学学习过程,必定是立足学生已有经验并使之渐次丰满的过程。经验渐次丰满的过程,正是学生数学思维不断发生、发展、生长的过程。俞正强老师在种子课中一些引导和鼓励学生发散思维、勇于表达的教学设计与互动方式,让我们看到了学生的思维是如何生长起来的。

摘要： 马里亚纳弧前蛇纹岩泥火山顶发育烟囱状自生沉积,由海底低温碱性流体渗漏形成,它对示踪蛇纹石化流体渗漏有重要意义,但烟囱生长模式仍未明确。本文选取马里亚纳弧前Quaker蛇纹岩泥火山烟囱状自生碳酸盐岩,进行岩石学、矿物学和元素地球化学研究,查明不同生长阶段烟囱元素组成、矿物类型及演化规律,提出烟囱生长模式。幼年烟囱具有高MgO(18.5%~37.5%)和低CaO含量(12.2%~32.1%),由方解石(52.0%~77.6%)及以水镁石为主的富镁碱性矿物组成;成熟烟囱MgO含量显著降低(1.5%~23.6%),CaO含量显著升高(18.6%~53.3%),除发育方解石(59.8%)和少量富镁矿物外,还发育文石(23.4%);死亡烟囱不含富镁矿物,文石含量最高(33.2%),显微镜和扫描电镜下均观察到文石交代富镁矿物。不同类型烟囱间元素和矿物组成差异以及岩石学特征,说明渗漏流体导致方解石和水镁石沉淀,而文石为交代产物,在烟囱成熟过程中亚稳定的水镁石最终被文石交代,文石及CaO和MgO含量可指示烟囱的成熟程度。同一烟囱横截面由内向外微区样品的MgO含量依次降低,CaO含量依次升高,说明烟囱内侧较新,外侧较老,烟囱由外向内生长。同一烟囱下部横截面MgO含量低于上部横截面,CaO含量则相反,说明下部先形成,指示烟囱自下而上生长。

摘要： 东营凹陷顺层纤维状脉体赋存于沙三下亚段和沙四上亚段烃源岩中,顶界埋深为2900～3000m,该深度为东营凹陷沙三下和沙四上亚段烃源岩的成熟界限.脉体发育层段与不发育层段垂向上交替出现,且主要赋存于顺层纹层理发育的泥岩和页岩中,即有机质呈顺层富集型烃源岩中,在块状泥岩中发育程度较低、规模也较小.脉体多呈透镜状或薄片状,规模不等,大小不一.岩相学性质表明顺层纤维状脉体生长模式为背生式,存在两个生长界面位于脉体和围岩的接触面上,向围岩方向生长.

摘要： 本文基于原子层沉积(ALD)HfO2高K材料,通过对脉冲时间和腔体气压等实验参数的调控,实现了气相反应模式、准ALD生长模式和ALD生长模式间的转变控制,得出冲洗过程是实现ALD生长的关键.由此得到气流式反应腔设计的核心问题,对实现高质量ALD薄膜的生长具有指导意义.

摘要： “互联网+”是城市产业转型的契机.目前我国对于“互联网+”的研究主要集中于银行金融、电子商务、网络技术层面,以虚拟的互联网平台搭建为主,缺少与实体空间设计的融合.杭州萧山信息港小镇城市设计,基于“互联网+”的时代背景,以搭建空间孵化与服务平台、塑造特色鲜明的城市空间环境、谋划可持续的发展策略为原则,通过载体的创智空间、特色的水乡文脉、单元的街坊组团,承载新型产业功能、营造多样生活氛围、奠定城市生长模式,以期为我国“互联网+”与空间层面的城市设计融合做出探索性实践.

摘要： 近年来,由于纳米尺度材料与纳米薄膜以及常规体材料相比表现出的优异性质,包括纳米线、纳米棒、纳米管等在内的半导体纳米材料越来越受到研究者的广泛关注,使得它们在材料科学以及应用方面得到了极大的发展.在众多半导体材料中，CdS受到格外关注。因为CdS是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，具有非常好的光学和电学性质，可以应用在发光二极管、光学传感器、光催化剂、太阳电池的窗口层或者吸收层以及混合型太阳电池的电极。相较于CdS薄膜，纳米颗粒、纳米线、纳米针等CdS纳米材料由于其大的表面积和可能存在的量子限制效应，具有更高的光电灵敏性和更高的效率。制备CdS纳米线的方法主要包括:电化学沉积,溶液法，化学和物理气相沉积等。在这些方法中，脉冲激光沉积法(PLD)是合成包括II-VI族半导体在内的多元复合物的一种简单而有效的方法，在这种方法中，制备材料的生长速度很容易通过脉冲激光的能量和频率调节实现，同时由于激光烧蚀等离子体的方向性，得到的薄膜通常是干净无污染的。

摘要： 本文通过结合透射电子显微镜,高分辨率X射线衍射仪和原子力显微镜等表征检测手段,对于在蓝宝石衬底上,采用高温AlN成核层MOCVD异质外延生长的N极性和Ga极性GaN进行了对比研究。发现,Ga极性材料中的穿透位错随着厚度的增加有明显的弯折,合并成环和湮灭现象,而N极性材料中,大部分穿透位错并没有明显地随着外延层厚度的增加而产生合并,弯折和湮灭,而是向上延伸。并且,N极性材料的AIN成核层与GaN外延层之间界面处并未产生如Ga极性材料中AlN与GaN界面间那样高的位错密度。结合原子力显微镜的结果,对这些现象提出了可能的解释,认为不同于通常Ga极性GaN的由三维生长逐渐转变为二维的生长模式,N极性材料在生长初期就遵循一种二维的生长模式,再加上N极性GaN生长过程中大量的螺旋式生长,所以造成了两者的位锚密度差异较大。

摘要： 本文研究了颗粒表面湿润性对新相团簇的生长模式、形核率以及颗粒上团簇生长速率的影响。结果表明杂质颗粒湿润性对新相团簇的生长模式有着明显的影响。当颗粒湿润性较弱时，团簇间的聚并和Ostwald ripening过程控制着团簇生长；当颗粒湿润性较强时，团簇的生长模式则更接近经典形核理论的假设。颗粒的引入增加了颗粒外区域内的形核率。随着团簇湿润性的增加，颗粒上团簇的生长速率逐渐增加，但最大团簇的平衡尺寸与颗粒湿润性的关系不大。

摘要： 本文在AZ33镁合金的Mg(OH)2次界面上通过化学镀成功制备了Ni-P镀层,并将其Ni-P沉积过程与传统Mg(OH)2与MgF2混合次界面上的沉积过程作对比.通过扫描电子显微镜(SEM)观察试样表面形貌并采用能谱仪(EDS)进行表面成分分析.结果表明,沉积初始阶段MgF2与Ni-P共沉积,MgF2分布在镀层底部,热震实验表明这不利于镀层的结合力.同时,基于形貌观察分析,文中还提出了Ni-P镀层一个基本的生长方式.

摘要： 本文在AZ33镁合金的Mg(OH)2次界面上通过化学镀成功制备了Ni-P镀层,并将其Ni-P沉积过程与传统Mg(OH)2与MgF2混合次界面上的沉积过程作对比.通过扫描电子显微镜(SEM)观察试样表面形貌并采用能谱仪(EDS)进行表面成分分析.结果表明,沉积初始阶段MgF2与Ni-P共沉积,MgF2分布在镀层底部,热震实验表明这不利于镀层的结合力.同时,基于形貌观察分析,文中还提出了Ni-P镀层一个基本的生长方式.

摘要： 本文在AZ33镁合金的Mg(OH)2次界面上通过化学镀成功制备了Ni-P镀层,并将其Ni-P沉积过程与传统Mg(OH)2与MgF2混合次界面上的沉积过程作对比.通过扫描电子显微镜(SEM)观察试样表面形貌并采用能谱仪(EDS)进行表面成分分析.结果表明,沉积初始阶段MgF2与Ni-P共沉积,MgF2分布在镀层底部,热震实验表明这不利于镀层的结合力.同时,基于形貌观察分析,文中还提出了Ni-P镀层一个基本的生长方式.

摘要： 本文在AZ33镁合金的Mg(OH)2次界面上通过化学镀成功制备了Ni-P镀层,并将其Ni-P沉积过程与传统Mg(OH)2与MgF2混合次界面上的沉积过程作对比.通过扫描电子显微镜(SEM)观察试样表面形貌并采用能谱仪(EDS)进行表面成分分析.结果表明,沉积初始阶段MgF2与Ni-P共沉积,MgF2分布在镀层底部,热震实验表明这不利于镀层的结合力.同时,基于形貌观察分析,文中还提出了Ni-P镀层一个基本的生长方式.

摘要： 本发明提供了一种根据果树生长阶段调控高光效树形模式的生产方法，通过在果树不同发育阶段分别采用树形和栽植密度同时变化的生产方法，改善了果园的光照环境。这种高光效树形提高了优质果率，为乔木类果树的栽培和管理提供了有价值的参考。

摘要： 本发明公开了一种多模式静磁场控制的单晶高温合金定向凝固生长装置、方法及其应用，包括定向凝固系统、控温系统和磁场发生器系统；定向凝固系统包括生长腔体、保温层、加热电阻、坩埚、拉杆、伺服抽拉系统和冷却系统；磁场发生器系统位于定向凝固系统的生长腔体周围，使内待凝固的液态金属的单晶生长界面位于匀强或者对称磁场中心区域，并通过调节磁场发生器系统施加的磁场强弱和构型。本发明用于制备单晶高温合金，包括Ni基、Co基、Fe基、Nb基、TiAl基等金属单晶，控制单晶高温合金中纵向和横向的成分分布，改变其微结构和析出相，从而实现单晶高温合金高温力学性能提升，尤其瞬时抗拉强度和蠕变持久性能，从而全面提升单晶高温合金高温力学性能。

摘要： 本发明公开了一种不同复合模式半夏生长的土壤养分动态变化的检测方法，涉及土壤养分检测技术领域，包括以下步骤：步骤S1：准备工序，器件的准备，土壤溶液采集设备、消毒液、蒸馏水、试剂瓶、气体瓶、离子传感设备、反应气室、可视嗅觉传感器、LED灯组、废气瓶、废液瓶、酸碱检测器、体积测量设备；步骤S2：清洁工序；步骤S3：取样工序；步骤S4：检测工序；步骤S5：收尾工序。本发明具备了通过离子传感设备插入到土壤中，提取土壤溶液后通过离子检测法和气味检测法，使得在不破坏土壤结构的情况下，对土壤中的养分进行快速且便捷的检测，且两种操作过程互不影响，且得出的结果可相互对比，具备了实用性更佳的效果。

摘要： 本发明公开了一种畜禽生长趋势动态监管模式，涉及畜禽养殖技术领域，包括用户实名注册模块，所述用户实名注册模块输出端无线连接有畜牧管理部门审核模块输入端。本发明通过设置计算机网络程序与生物生长规律，做到实时反馈区域、场内养殖畜禽群体结构生物特征，从而解决了现今畜禽监管模式频繁的人工统计，而星罗棋布的养殖场数据对人工统计来说过于庞大，进而常常导致监管数据误差大不利于农业部门监管及后期政策研讨，同时数据的大误差还会产生畜禽监管与检疫盲区，严重威胁农畜产品与畜禽养殖行业，进而难以有效防范违规调运、虚假申报及疫病防控，不利于养殖业健康发展及国家菜篮子工程的问题。

摘要： 本实用新型公开了一种用于观测相同地下水埋深不同植物、相同植物不同地下水埋深情况下可调节控制多组合模式的植物生长监测装置，其结构包括供水装置、1号供水管、供水阀门、升降装置、千斤顶、马氏瓶、气压控制阀、气压平衡管、2号供水管、供水阀门、过滤层、九宫格测筒、排水阀门、排水管、收水装置、透明遮雨棚，供水装置与马氏瓶之间通过第一供水管相连，马氏瓶置于密封的升降装置内部，九宫格测筒与马氏瓶之间通过第二供水管相连，排水装置与九宫格测筒之间通过排水管相连接。本实用新型结构简单，造价低廉，操作容易，实验结果直观，能够实时对比多组实验。

摘要： 本发明涉及单晶的生长方法，特别是涉及一种通过生长模式调控实现AlN单晶生长的方法。该方法依照下列步骤进行：（A）装炉、脱气、充氮气、升温；（B）三维模式生长；（C）二维模式生长；（D）顺序重复（B）步骤和（C）步骤；（E）降温、充氮气、出炉。通过采取变温变压生长模式调控技术实现了AlN晶体的三维岛状生长模式和二维平层状生长模式的结合，既利用三维岛状模式提高了生长速率，又利用二维平层状模式保持了生长表面的平整和连续，有利于生长高质量AlN单晶材料，也有助于解决AlN单晶产品化能力低下问题。

摘要： 本发明涉及一种用于微藻兼性生长模式培养的生物反应器及其工作方法，其主体为反应罐，反应罐下方设置导流罐，反应罐底部与导流罐之间通过透明玻璃柱管相通连接；透明玻璃柱管包括中间玻璃柱管和外玻璃柱管，中间玻璃柱管内设有旋转时推动中间玻璃柱管内水流朝导流罐一端流动的轴流桨，轴流桨固定于转轴并传动连接电机。工作方法为：将微藻种液由接种口通入反应罐内，开启电机，电机带动轴流桨推动中间玻璃柱管内培养液由反应罐流至导流罐内，经中间的气液射流装置向管内供氧，提高培养液中的溶解氧含量，再由导流罐经外玻璃柱管回流至反应罐内，如此循环，同时配合LED灯对外玻璃柱管进行光照，以满足微藻兼性生长对光照的所需，实现微藻兼性培养。

摘要： 本发明涉及一种利用气固固生长模式控制高性能Ⅲ‑Ⅴ族半导体纳米线生长方向的方法。其步骤包括：通过在Si/SiO2衬底上沉积与现今硅基微电子工艺相兼容的Pd等高熔点金属催化剂薄膜，通过实现气固固生长模式控制Ⅲ‑Ⅴ族半导体纳米线的生长方向。所得的纳米线不仅生长方向可控，其长度长、直径波动范围小、晶体质量高、载流子迁移率达理论极限。

摘要： 本发明涉及单晶的生长方法，特别是涉及一种通过生长模式调控实现AlN单晶生长的方法。该方法依照下列步骤进行：（A）装炉、脱气、充氮气、升温；（B）三维模式生长；（C）二维模式生长；（D）顺序重复（B）步骤和（C）步骤；（E）降温、充氮气、出炉。通过采取变温变压生长模式调控技术实现了AlN晶体的三维岛状生长模式和二维平层状生长模式的结合，既利用三维岛状模式提高了生长速率，又利用二维平层状模式保持了生长表面的平整和连续，有利于生长高质量AlN单晶材料，也有助于解决AlN单晶产品化能力低下问题。

摘要： 本发明公开了一种控制范德瓦耳斯外延与远程外延生长模式的装置及方法，利用氮化镓‑石墨烯衬底，通过改变给石墨烯层外加的栅极偏压，来控制外延生长模式的选择。若在石墨烯层栅极上外加正向偏压，那么石墨烯中的主要载流子类型为电子，抑制氮化镓的极性，外延生长模式选择的是传统的范德瓦耳斯外延，在石墨烯上只能生长二维范德瓦耳斯氮化镓单晶之外的薄膜。反之，若不对石墨烯层栅极施加外电压或者外加反向偏压，那么就选择远程外延，在石墨烯上将生长出二维范德瓦耳斯氮化镓单晶薄膜。本发明避免了因两种外延模式所需石墨烯厚度不同，而在生产过程中需多次制造衬底的问题。不仅可以生产高质量的氮化镓材料，还显著的节省了时间与制造成本。