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朱育清;
中国电子学会;
半导体材料;
机译:SiGe / SiGeC缓冲层上SiGe的低位错密度应变弛豫
机译:热退火在SiGe虚拟衬底上的应变弛豫特性
机译:拉曼光谱法用于鉴定应变Si / SiGe结构中的应变和应变弛豫
机译:在弛豫的SiGe虚拟衬底上生长的高质量应变Si /应变SiGe层的形成,用于高级CMOS应用
机译:高应变,高应变率变形下非均质含能材料的特性。
机译:GeSn / SiGeSn量子阱中材料增益的横向和横向磁模式的应变工程
机译:Si(100)上高温退火过程中SiGe外延膜中应变诱导的形貌演化和优先互扩散
机译:siGe / Gap合金的高温退火性能
机译:具有缺陷稀土氧化物夹层的浸渍式退火缓冲/应变缓和缓冲层上的低缺陷弛豫SiGe /应变Si结构及其制造方法
机译:具有平面和非平面结构的绝缘体上应变Si和弛豫Si或应变SiGe FET的协整方法
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