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姜小波;
中国电子学会;
衬底;
机译:SnCl 4 sub>的高质量GeSn的UHV-CVD生长:从材料生长开发到原型设备
机译:ESRF BM32光束线的表面(INS)终端站上的纳米结构的原位生长:组合的UHV-CVD和MBE反应器,用于生长的纳米颗粒和半导体纳米线的原位X射线散射研究
机译:在Si和Ge(100)衬底上通过低温RF-PECVD外延生长的弛豫薄膜锗层的结构特性
机译:使用硅烷和锗烷的Si(100)上的Si_1-Xge_x合金的UHV-CVD杂交生长
机译:低能电子显微镜和扫描隧道显微镜研究锗在锗(111)和锗(110)上的生长以及锗(111),锗(110)和锗(001)上的银的生长
机译:在没有基板加热的情况下通过ECR Ar等离子增强CVD生长的掺杂B原子层的Si薄膜的载流子特性
机译:Si和Ge(100)衬底上通过低温RF-PECVD外延生长的弛豫薄膜锗层的结构特性
机译:用ECR-pECVD技术高效生长水解非晶硅锗薄膜和器件
机译:UHV / CVD的非选择性锗沉积
机译:Si 1-XY Sub> GE X Sub> C Y Sub>和Si 1-Y Sub> C 的外延和多晶生长通过UHV-CVD在Si上形成Y Sub>合金层
机译:利用UHV-CVD法在SI上形成Si1-X-Yygycy和Si1-Ycy合金层的表观和多晶生长
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