栅控晶闸管的一种新的关闭栅结构--耗尽型MOS关闭栅

机译：具有隧穿氧化物和背栅偏置的全耗尽SOI MOSFET中的栅诱导浮体效应

机译：具有双栅操作的完全耗尽型绝缘体上硅基扩展栅场效应晶体管的增强的传感特性

机译：适用于圆柱型全耗尽环绕栅（SG）MOSFET的新二维阈值电压模型

机译：高压双栅关闭晶闸管

机译：氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。

机译：用于CMOS图像传感器应用的全耗尽沟槽固定光敏栅

机译：通过3D TCAD仿真研究了基于连接的单栅SOI MOSFET的连接型单栅SOI MOSFET的SEU敏感性

机译：后栅等离子体和溅射工艺对金属栅CmOs集成电路辐射硬度的影响

机译：用于MOSFET的半导体结构，具有与n型双栅晶体管的背栅的一部分和p型双栅晶体管的背栅的一部分相接触的单阱，其中栅极被相同的掺杂剂掺杂。

机译：形成t型栅电极的方法和使用该t型栅电极形成具有t型栅电极的MOS晶体管的方法

机译：一种评估绝缘栅型晶体管的方法，一种制造绝缘栅型晶体管的方法，一种用于评估绝缘栅型晶体管的特性的装置以及根据特征记录程序的计算机读取器