机译:通过3D TCAD仿真研究了基于连接的单栅SOI MOSFET的连接型单栅SOI MOSFET的SEU敏感性
机译:通过3D TCAD仿真研究了基于无结单栅极SOI MOSFET的6T SRAM单元的SEU灵敏度
机译:基于3D TCAD仿真的基于20nm FinFET和无结FinFET的6T-SRAM电路的栅极和漏极SEU灵敏度
机译:通过3D数值模拟研究无结双栅极6T SRAM单元的辐射敏感性
机译:使用TCAD仿真比较基于体积和基于SOI的FinFET SRAM单元的单事件翻转灵敏度
机译:基于7NM FinFET的6T SRAM细胞瞬态和DC分析性能分析
机译:通过3D TCAD模拟FD-SOI霍尔传感器的性能优化
机译:无结6T SRAM单元