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刘亚伟; 陈万军;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;
MOS栅控晶闸管; 脉冲放电; 栅极损伤; 阴极电感; 栅极串联电阻;
机译:fazopo栅控晶闸管器件中的应用作为元素管理的(柔性)传输线peremennogotoka
机译:新型具有肖特基势垒的绝缘栅触发晶闸管,可改善重复脉冲寿命并具有高 d / dt itali>特性
机译:三喷嘴差动横截面的测量 d mml:mi> σ mml:mi> 3 mml:mn> jet mml:mtext> mml:mrow> mml:msub> / mml:mo> d mml:mi> M mml:mi> 3 mml:mn> jet mml:mtext> mml:mrow> mml:msub> mml:math>在 p mml:mi> p mml:mi> ˉ mml:mo> mml:mover> mml:math>在 s mml: mi> mml:msqrt> = mml:mo> 1.96 mml:mn> TeV mml:mtext> mml:math>
机译:超高di / dt条件下MOS控制晶闸管的瞬态过电压引起的故障
机译:用于CMOS栅电极应用的金属合金和栅堆叠工程。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:两个参数熵的绝热恒温和Lambert的 w MML:MI> MML:MATH> -IS应用程序功能
机译:sILICON-sappHIRE中的栅控二极管计算机模拟
机译:MOS-di / dt dv / dt控制功率开关晶体管的开关DI / DT和DV / DT的方法
机译:MOS栅型功率晶体管的di / d和d / dt的切换方法
机译:具有发射极表面损耗补偿的MOS控制晶闸管-在各个晶闸管单元或晶闸管之间的栅电极下方的基极层中具有辅助发射极区
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