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周琪钧; 田冕; 刘超; 陈万军;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054;
陆军装备部驻重庆地区军事代表局驻成都地区第二军事代表室 成都610054;
脉冲功率系统; MOS栅控晶闸管; dV/dt; 亚阈电流;
机译:采用双可变横向掺杂技术的高dV / dt抗扰度MOS控制晶闸管,用于电容器放电应用
机译:MOS门控晶闸管的dV / dt能力
机译:MOS沟槽栅场控晶闸管
机译:小麦基因表达对俄罗斯小麦蚜虫Diuraphis noxia(Mordvilko)(Homoptera:Aphididae)的抗性的分子作图。
机译:超低泄漏和增强迁移率的MoS2上亚10 nm栅氧化物的集成
机译:高增益In2se3中的栅控光电流产生机制 光电晶体管
机译:初始提交:在albino大鼠中使用两种有机锡化合物(advastab 17 mok 034和advastab 17 mok 028)的亚慢性(90天)毒性研究(最终报告)W字母041092。
机译:MOS-di / dt dv / dt控制功率开关晶体管的开关DI / DT和DV / DT的方法
机译:通过栅极电流调节控制MOS门控晶体管中的di / dt和dv / dt
机译:具有确定的导通特性的双深度沟槽栅控MOS晶闸管
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