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张文良;
中国电子学会;
集成电路;
机译:深亚微米全耗尽SOI MOSFET的阈值电压模型,具有背栅衬底引起的表面电势效应
机译:关于“深亚微米MOSFET的阈值电压模型”及其扩展至亚阈值操作的进一步评论
机译:关于“深亚微米MOSFET的阈值电压模型”的评论
机译:深亚微米MOSFET的可扩展阈值电压模型
机译:深亚微米MOSFET技术中的随机掺杂和低频噪声抑制。
机译:使用OneDose MOSFET和移动MOSFET对急性淋巴细胞白血病患者的皮肤剂量进行测量和比较
机译:深亚微米MOSFETS热通道噪声的新模型及其在RF-CMOS设计中的应用
机译:深亚微米全耗尽sOImOsFET的DLTs和动态跨导分析
机译:深度增强CoSi2形成形成深亚微米MOSFET中硅结的CoSi2深MOSFET MOSFET。
机译:逻辑块混合低阈值电压MOSFET器件和普通阈值电压MOSFET器件,用于深亚微米VLSI设计
机译:低阈值电压MOSFET器件的逻辑块,用于深亚微米形式的VLSI和正常阈值电压MOSFET器件的设计
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