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张文良; 杨之廉;
清华大学微电子学研究所;
MOS器件; 非均匀掺参; MOSFET; 衬偏效应;
机译:深亚微米全耗尽SOI MOSFET的阈值电压模型,具有背栅衬底引起的表面电势效应
机译:具有横向非均匀掺杂分布的深亚微米SOI压入式栅极控制混合晶体管的准二维亚阈值电流模型
机译:高衬底掺杂水平对深亚微米MOSFET阈值电压和迁移率的影响
机译:具有不均匀衬底掺杂的深亚微米MOSFET的新阈值电压模型
机译:用于低压低功率应用的非均匀掺杂深亚微米口袋MOSFET的设计和建模
机译:具有最新fmax的深亚微米石墨烯场效应晶体管
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响
机译:逻辑块混合低阈值电压MOSFET器件和普通阈值电压MOSFET器件,用于深亚微米VLSI设计
机译:低阈值电压MOSFET器件的逻辑块,用于深亚微米形式的VLSI和正常阈值电压MOSFET器件的设计
机译:深度增强CoSi2形成形成深亚微米MOSFET中硅结的CoSi2深MOSFET MOSFET。
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