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李艳萍; 徐静平; 陈卫兵; 邹晓;
华中科技大学电子科学与技术系;
MOSFET; 短沟道效应; 漏致势垒降低效应; 高k栅介质;
机译:关于“深亚微米MOSFET的阈值电压模型”及其扩展至亚阈值操作的进一步评论
机译:深亚微米SOI动态阈值电压MOSFET的基于物理的二维电流模型
机译:深亚微米全耗尽SOI MOSFET的阈值电压模型,具有背栅衬底引起的表面电势效应
机译:深亚微米MOSFET的可扩展阈值电压模型
机译:用于设计和仿真深亚微米MOSFET的高级迁移率模型。
机译:基于晶体管关联技术的深亚微米EGFET用于化学传感
机译:量子力学增强随机掺杂剂诱导阈值电压波动和降低亚0.1微米mOsFET
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响
机译:逻辑块混合低阈值电压MOSFET器件和普通阈值电压MOSFET器件,用于深亚微米VLSI设计
机译:低阈值电压MOSFET器件的逻辑块,用于深亚微米形式的VLSI和正常阈值电压MOSFET器件的设计
机译:深度增强CoSi2形成形成深亚微米MOSFET中硅结的CoSi2深MOSFET MOSFET。
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